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基于MoO3居间层有机半导体器件的界面电子结构研究

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摘要

1 绪论

1.1 论文选题背景

1.2 有机半导体的电子结构

1.2.1 从单原子到固体电子结构的变化

1.2.2 有机固体中的能带及分子轨道

1.2.3 碳原子轨道的杂化

1.3 有机半导体的界面性质

1.3.1 金属和半导体中费米能

1.3.2 真空能接合

1.3.3 界面偶极子的形成

1.3.4 能带弯曲

1.4 MoO3居间层在有机半导体器件中的应用

1.5 本文研究内容和章节安排

2 实验技术和设备

2.2 实验技术

2.2.1 X射线光电子能谱仪

2.2.2 紫外光电子能谱

2.2.3 反光电子能谱仪

2.2.4 表面分析探针可能造成的表面破坏

2.3 样品制备

2.3.1 薄膜沉积

2.3.2 逐层测量

2.3.3 表面清洁和UHV要求

2.4 实验仪器

2.4.1 光电子能谱仪系统

2.4.2 反光电子能谱仪系统

3 空气暴露下MoOx薄膜的表面氧等离子体处理

3.1 概述

3.2 引言

3.3 薄膜的制备与表征

3.4 结果与讨论

3.5 本章小结

4 C60/TAPC/MoOx/ITO界面电子结构演化和能级接合

4.1 概述

4.2 引言

4.3 实验方法

4.4 结果与讨论

4.5 结论

5 总结与展望

5.1 总结

5.2 展望

参考文献

攻读学位期间主要的研究成果

致谢

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摘要

在有机光伏器件中,常利用MoO3来充当阳极和有机空穴型材料之间的居间层,以降低空穴抽取势垒并兼有阻止电子抽取的功能,从而大大提高相应的有机太阳能电池的功率转化效率,促进其性能。为深入了解其物理机制,本文首先利用紫外光电子能谱(UPS)和角分辨X射线光电子能谱(AR-XPS)研究了空气暴露下MoOx薄膜的氧等离子气体处理效应。发现空气暴露下MoOx薄膜的功函数的降低能通过表面氧等离子体处理部分回升。经测量,总共功函数回升略大于64%,能为大部分空穴输运材料提供合适的空穴提取层。蒸镀制备而成的MoOx薄膜经氧等离子体处理后,表面形成一层很薄的富氧吸附层,导致功函数不能完全恢复。AR-XPS结果显示,氧等离子体处理后,氧元素和钼元素芯能级向低束缚能移动了约0.1 eV,并证实了蒸镀形成的MoOx薄膜上存在氧缺失。
  然后研究了基于MoO3充当缓冲层的C60/TAPC/MoOx/ITO的界面电子结构演化和能级接合特点。在MoOx表面沉积TAPC后,TAPC/MoOx界面间由于电子从TAPC层转移到MoOx层,形成了1.58 eV的偶极子。TAPC层能带向下弯曲有利于空穴输运到TAPC/MoOx界面。在TAPC沉积厚度约为30(A)时,能级移动达到饱和。随后在TAPC上沉积C60形成了0.27 eV的界面偶极子,这是因为电子从TAPC层转移到C60层,导致C60/TAPC界面附近TAPC的HOMO能级下降,因此进一步加剧了TAPC的能带弯曲。从而有效增加了C60/TAPC异质结的最大开路电压。

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