声明
摘要
1 绪论
1.1 MAX相
1.2 Ti-Si-C
1.2.1 Ti-C体系
1.2.2 Si-C体系
1.2.3 Ti-Si体系
1.2.4 Ti-Si-C体系
1.3 Ti3SiC2的结构、性能及应用
1.3.1 Ti3SiC2的结构
1.3.2 Ti3SiC2的性能
1.3.3 Ti3SiC2的制备方法
1.3.1 Ti3SiC2的应用现状
1.4 Ti-Si-C涂层的化学气相沉积
1.5 研究目的和内容
2 涂层的制备与检测
2.1 CVD法制备涂层设备及其原材料
2.1.1 CVD设备
2.1.2 实验原材料
2.2 TiC涂层的制备
2.2.1 反应体系的选择和热力学分析
2.2.2 动力学分析
2.3 Ti-Si-C复合涂层的CVD工艺设计
2.4 涂层结构表征与性能检测
2.4.1 X射线衍射分析
2.4.2 SEM表面形貌及组织结构分析
2.4.3 能谱分析
2.4.4 电子探针分析
2.4.5 涂层沉积速率测试
2.4.6 抗氧化性能分析
3 TiC涂层及TiC/SiC复合涂层的制备与组织结构
3.1 单一TiC涂层制备制备及组织结构
3.2 沉积位置对TiC涂层的影响
3.3 沉积温度对TiC对涂层的影响
3.4 SiC涂层制备及其形貌结构
3.5 TiC/SiC多层复合涂层
3.6 本章小结
4 CVD Ti-Si-C复合涂层的相组成、含量及显微结构控制
4.1 沉积温度对涂层显微组织结构的影响
4.1.1 不同温度下涂层物相分析及择优取向
4.1.2 不同温度下涂层的形貌结构和成分变化
4.2 反应前驱体Si/Ti比对涂层显微组织结构的影响
4.2.1 Si/Ti比对涂层晶体结构的影响
4.2.2 Si/Ti比对涂层表面形貌的影响
4.2.3 不同Si/Ti比对涂层断面形貌的影响
4.2.4 TiC-SiC共沉积复合涂层
4.3 H2浓度对涂层的影响
4.3.1 H2浓度对涂层晶体结构的影响
4.3.2 H2浓度对涂层表面形貌的影响
4.3.3 H2浓度对涂层断面形貌的影响
4.3.4 Si/Ti比(H2浓度为50%)对涂层影响
4.4 TiCl4-CH3SiCl3-CH4-H2-Ar体系的简单探讨
4.5 优化后的工艺
4.6 涂层中Ti3SiC2的结构特征、形成机制及控制
4.6.1 Ti3SiC2的化学气相沉积机制
4.6.2 涂层中Ti3SiC2的结构及含量的影响因素
4.7 本章小结
5 抗氧化性能分析
5.1 涂层的抗氧化性能
5.2 氧化机理
5.3 本章小结
6 结论与展望
参考文献
攻读硕士学位期间的主要研究成果
致谢