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唐俊雄;
湘潭大学;
绝缘层上硅器件; 铁电薄膜; 钒离子掺杂; 物理机制; 浮体效应; 铁电存储器; 半导体器件;
机译:自对准,后栅极,FDSOI,具有5.5nm HfZrO的铁电栅存储器件,高耐久性和击穿恢复
机译:实现柔性器件的研究以多肽膜为铁电膜的3×3阵列存储器件的制造和操作确认
机译:Ba(Zr_(0.1)Ti_(0.9))O_3铁电薄膜在不同保留周期下的开关特性,用于非易失性存储器件
机译:利用偏振特性(ii)通过偏振特性测量观察存储器效果的低压驱动铁电存储器件
机译:铁电电容存储器:自主非易失性铁电存储器锁存器的特性。
机译:用于负电容器件和非易失性存储器应用的纳米晶体嵌入式绝缘体(NEI)铁电FET
机译:BI3.25LA0.75TI3O12的铁电特性,具有欧盟含量的非易失性存储器件应用的薄膜
机译:铁电存储器件的响应面方法研究。
机译:具有改善的铁电特性的铁电存储器件的制造方法
机译:具有增强的铁电特性的铁电存储器件及其制造方法
机译:具有改善的铁电特性的铁电存储器件及其制造方法
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