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第一章引言
第二章磁性材料的主要制备方法及表征手段
第三章ZnFeS合金薄膜的结构和光学特性
第四章ZnFeO薄膜的制备及磁学性质
第五章FeSe/GaAs铁磁/半导体异质结构的生长及特性研究
第六章ZnS纳米棒的制备及光学特性
第七章结论与展望
作者简介
攻读博士学位期间承担的主要工作及取得的成果
致谢
冯秋菊;
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所;
自旋电子学; 稀磁半导体; 铁磁特性; 硒化铁薄膜; 化学气相沉积;
机译:使用光发射光谱法测量FeSe / Nb:SrTiO_3 / KTaO_3异质结构中应变FeSe单层的增强超导相和能隙的明显各向异性
机译:FeSe_(0.92)-FeSe_(0.5)Te _(0.5)体系中铁基超导体薄膜固溶体的生长和结构研究
机译:FESE0.92 FESE0.5TE0.5系统中含铁超导体固溶膜的生长和结构研究
机译:我们在Si底物上报告了常常数-FaN基的异质结场效应晶体管(HFET)。使用金属化学气相沉积(MOCVD)生长AlGaN / AIN / GaN异质结构。用于常关操作的HFET W.
机译:宽带隙III族氮化物,氧化锌和III-N /氧化锌异质结构的光学性质。
机译:超导体FeSe的四面体FeSe2链化学切除:Fe3Se4(en)2的合成晶体结构和磁性
机译:宽带隙四方BeMgZnO薄膜的生长和表征以及BeMgZnO / ZnO异质结构
机译:稀磁半导体异质结构的光学和磁学特性
机译:具有宽带隙发射极/集电极的外延生长的绝缘体上半导体(SOI)横向异质结双极晶体管
机译:在p型层上生长以形成空穴注入pn异质结的n型宽带隙半导体及其制造方法
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