摘要
第一章 绪论
§1.1 引言
§1.2 忆阻器及纳米电离子学
§1.3 忆阻器的阻变机制
§1.3.1 离子效应
§1.3.2 电子效应
§1.3.3 热效应
§1.4 WO3的结构与性质
§1.4.1 h-WO3的晶体结构
§1.4.2 h-WO3的能带结构
§1.5 WO3纳米结构的应用
§1.5.1 在忆阻器方面的应用
§1.5.2 在光解水方面的应用
§1.6 本文选题的依据及研究内容
第二章 氧空位迁移实现可重构的WO3纳米线整流器
§2.1 研究背景
§2.2 实验过程
§2.2.1 实验设备及试剂
§2.2.2 纳米线制备
§2.2.3 纳米线表征
§2.2.4 器件构筑及电学测试
§2.3 结果与分析
§2.3.1 h-WO3纳米线表征
§2.3.2 h-WO3的忆阻效应
§2.3.3 可重构的单向整流效应
§2.3.4 稳定性分析
§2.4 本章小结
第三章 氢离子格罗特胡斯迁移增强WO3纳米线的忆阻性能
§3.1 研究背景
§3.2 实验过程
§3.3 结果与分析
§3.3.1 相对湿度对忆阻性能的影响
§3.3.2 扫描电压值对忆阻性能的影响
§3.3.3 扫描电压顺序对忆阻性能的影响
§3.3.4 格罗特胡斯机理增强忆阻性能
§3.4 本章小结
第四章 水氧化的氢离子调控WO3纳米线的忆阻性能
§4.1 研究背景
§4.2 实验过程
§4.3 结果与分析
§4.3.1 h-WO3纳米线表征
§4.3.2 不同湿度下偏压重复扫描对器件电学性能的影响
§4.3.3 扫描偏压值对器件电学性能的影响
§4.3.4 不同波长光辐照后器件电学性能变化
§4.3.5 氧吸附调控氢钨青铜中氢离子浓度
§4.3.6 氢钨青铜纳米线单极性和双极性阻变效应
§4.3.7 低湿度下偏压扫描调控氢离子浓度
§4.4 本章小结
第五章 SmB6纳米线的可控制备及其表面态研究
§5.1 研究背景
§5.2 实验过程
§5.2.1 材料制备
§5.2.2 样品表征
§5.3 结果与分析
§5.3.1 形貌表征
§5.3.2 结构表征
§5.3.3 生长机理
§5.3.4 低温电输运测试
§5.4 本章小结
第六章 总结与展望
§6.1 本文结论
§6.2 工作展望
参考文献
攻读博士学位期间完成的论文
致谢
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