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忆阻器可变电阻模型的改进与并联忆阻器量化电路设计

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第一章绪 论

1.1研究背景及意义

1.2国内外研究现状

1.3论文结构

1.4本章小结

第二章背景知识及基本理论

2.1忆阻器基础理论

2.2忆阻器的电路学特性

2.3忆阻器的SPICE模型

2.4本章小结

第三章忆阻器可变电阻模型的改进

3.1可变电阻模型及其存在的问题

3.2改进的可变电阻模型

3.3仿真分析

3.4本章小结

第四章并联忆阻器量化电路

4.1 Y.V. 忆阻器量化电路

4.2并联忆阻器量化电路

4.3并联忆阻器量化电路的PSPICE仿真

4.4本章小结

第五章总结与展望

5.1全文总结

5.2下一步工作展望

致谢

参考文献

作者在学期间取得的学术成果

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摘要

忆阻器作为新出现的第四种基本电路元件,将会带来传统电子电路的巨大变革。忆阻器的模型研究是忆阻器应用研究的基础。ADC(Analog to Digital Converter)中的量化电路是能够利用忆阻器改进的重要电路之一。
  提出了一种忆阻器可变电阻模型的改进,将忆阻器的氧空缺数目和横截面积纳入可变电阻模型的模型构建中。利用SPICE模型进行了计算机仿真,结果证明模型的改进与对忆阻器的阻抗变化分析相一致。
  设计了一种并联忆阻器量化电路,提出了基于忆阻器并联的量化电路结构,描述了量化过程,并优化了量化结果读取方法。该并联忆阻器量化电路理论上能够进行高速率高精度的量化转换,在模数转换速率、功耗和体积等方面均优于Y.V.忆阻器量化电路。通过计算机仿真证实了设计的可行性。

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