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第1章绪论
1.1引言
1.2硅薄膜太阳电池的研究现状
1.3非晶硅薄膜
1.3.1非晶硅的结构
1.3.2非晶硅材料的光电特性
1.3.3非晶态半导体的导电特性
1.4多晶硅薄膜
1.4.1多晶硅薄膜的结构特点
1.4.2多晶硅薄膜的光电性能
1.4.3多晶硅的电学输运机制
1.5其他单晶/非晶混相硅基材料
1.6单结、多结太阳电池的结构及光伏机理
1.7选题的目的及实验内容
第2章磁控溅射和薄膜生长
2.1磁控溅射法沉积薄膜
2.1.1磁控溅射原理
2.2.2溅射法分类
2.1.3磁控溅射特点
2.1.4影响磁控溅射法制备氢化硅薄膜的因素
2.2薄膜的生长机理
3.3薄膜中的缺陷
3.5薄膜的致密度
第3章实验部分
3.1玻璃基片的清洗
3.2溅射设备及主要参数
3.3薄膜试样的结构和性能表征方法
3.3.1薄膜结构的测定
3.3.2光学性能测定
3.3.3红外光谱分析测试
3.3.4 NKD7000W测试设备
3.3.5 X射线光电子能谱
第4章工艺参数对薄膜光学常数的影响
4.1引言
4.1.1、非晶态半导体的光学带隙
4.1.2、影响光学带隙的因素
4.1.3、非晶态半导体的光吸收
4.2溅射氢气分压对薄膜结构及性能的影响
4.2.1氢分压对薄膜光学带隙的影响
4.2.2氢分压对薄膜折射率的影响
4.2.3氢分压对薄膜吸收系数和消光系数的影响
4.3溅射基片温度对薄膜结构及光电性能的影响
4.3.1基片温度对薄膜光学带隙的影响
4.3.2基片温度对薄膜折射率的影响
4.3.3基片温度对薄膜吸收系数和消光系数的影响
4.4溅射电流对薄膜结构及光电性能的影响
4.4.1溅射电流对薄膜光学带隙的影响
4.4.2溅射电流对薄膜折射率的影响
4.5本章小结
第5章Si薄膜的结构和成分分析
5.1 Raman光谱表征工艺参数对薄膜结构的影响
5.1.1引言
5.1.2氢气分压对薄膜结构的影响
5.1.3基片温度对薄膜结构的影响
5.1.4溅射功率对薄膜结构的影响
5.1.5放置时间对薄膜有序度的影响
5.2 NKD7000W表征工艺参数对沉积速率的影响
5.2.1氢气分压对薄膜沉积速率的影响
5.2.2衬底温度对沉积速率的影响
5.2.3溅射功率对薄膜沉积速率的影响
5.3红外透射光谱分析
5.4 Si薄膜的XPS分析
5.5本章小结
第6章结论
参考文献
致谢
硕士期间所发表论文