与偏振无关半导体光放大器的研制

摘要

该文采用能带工程的手段，由MOCVD外延生长了张应量子阱和压应变量子阱构成的混合应变量子阱作为有源区材料，实现了1.3μm波段SOA的偏振灵敏度1dB;用匹配量子阱和张应变量子垒作为有源区材料，实现了1.55μm波段SOA的偏振灵敏度1.5dB。在SOA芯片结构方面，该文通过理论和实验研究了斜腔结构和锥形有源条与掩埋窗口。该研究在国产DMDE-450型镀膜机上发展了一种适合于批量制备SOA增透膜的工艺。该文对所研制的两端拉锥单模光纤直接耦合SOA的噪声特性进行了研究。指出外腔反馈是恶化SOA噪声特性的重要原因之一。采用所研制的SOA，实现了1.3μm波段和1.55μm波段140Mbit/s速率下的波长转换。

目录

文摘

英文文摘

第一章前言

§1.1半导体光放大器的发展概况

§1.2 SOA在光通信中的应用

§1.3课题来源和预期达到的研究目标

§1.4本课题研究的主要内容

§1.5本论文的结构

第二章应变量子阱材料的研制

§2.1降低SOA偏振灵敏度的技术方案选择

§2.2应变量子阱的基本理论

§2.3混合应变量子阱材料的研制

§2.4混合应变量子阱与多应变量子垒激光器的偏振特性

§2.5本章小结

第三章与偏振无关SOA芯片的设计与制作

§3.1锥形有源条和掩埋窗口

§3.2斜腔式有源条结构

§3.3小结

第四章SOA芯片的抗反膜镀制

§4.1引言

§4.2抗反膜膜系设计

§4.3适用于批量制备SOA抗反膜的适时监控技术

§4.4本章小节

第五章SOA芯片的器件化研究

§5.1 SOA芯片热沉安装

§5.2 SOA芯片与单模光纤的耦合

§5.3本章小节

第六章SOA器件的性能评估

§6.1 SOA的增益特性

§6.2 SOA的噪声特性

§6.3 SOA器件用于波长转换

§6.4本章小节

第七章总结

参考文献

致谢

作者攻读博士学位期间发表的论文

附录