一种偏振无关半导体光放大器

摘要

本发明提供的一种偏振无关半导体光放大器，依次包括InP衬底、n型InP缓冲层，张应变量子阱结构有源区、p型InP包层、p型InGaAs接触层，其顶层和底层附有电极，其特征在于：张应变有源区的材料为AlGaInAs。本发明在光放大器有源区采用AlGaInAs材料，能更有效地阻止电子穿越势垒层泄漏，改善器件的高温特性。本发明偏振灵敏度底，温度特性好，可以广泛应用于光网络、光子集成和光电子集成。