声明
1 绪论
1.1 引言
1.2近零介电常数材料
1.3表面等离激元模式和近零介电常数模式
1.4 ENZ的实现方式和应用
1.4.1ENZ的实现方式
1.4.2 近零介电常数材料的应用
1.4.3 存在的问题
1.5本论文的主要研究内容及章节安排
2 线性掺杂半导体材料中近零介电常数的产生及对电磁模式的影响
2.1 引言
2.2 半导体材料的复介电常数模型
2.3 线性掺杂三层Si平板中复介电常数分布和近零介电常数的产生
2.4 线性掺杂Si三层平板中的电磁模式
2.5 本章小结
3 MOSFET的电子调控机理和复介电常数分布
3.1 引言
3.2 MOSFET的能带结构及载流子调控机理
3.2.1 MOSFET的物理结构和能带结构
3.2.2 MOSFET的工作原理和工作模式
3.2.3 P型掺杂MOSFET中反型层的电子浓度分布和电压调控
3.3 MOSFET中复介电常数的分布及近零介电常数的产生
3.3.1 N沟道增强型MOSFET中的复介电常数分布和电压调控
3.3.2 N沟道增强型MOSFET中的近零介电常数的产生和电压调控
3.4 本章小结
4 MOSFET结构中的表面等离激元模式
4.1 引言
4.2 MOSFET结构中的电磁模式
4.3 MOSFET结构中近零介电常数对电磁场分布的影响
4.3.1 MOSFET结构中栅极电压（VGS）对混合表明等离激元模式的影响
4.3.2 MOSFET结构中漏极电压（VDS）对混合表面等离激元模式的影响
4.4 MOSFET结构中混合表面等离激元模式的局域特性
4.5 本章小结
5 总结与展望
5.1 总结
5.2 展望
致谢
参考文献
附录一：攻读学位期间发表论文目录
附录二：论文中数值计算所用参数值
