第1章 绪论
1.1 课题研究的背景和意义
1.2 电子拓扑转变理论
1.3 Sb2Te3和Bi2Te3晶体中电子拓扑转变的研究现状
1.4 本论文的主要研究内容
第2章 压力下Sb2Te3晶体电子拓扑转变的第一性原理研究
2.1 引言
2.2计算方法的选择
2.3压力作用下Sb2Te3晶体的结构优化
2.4 Bader电荷分析和能带结构
2.5 范德瓦尔斯相互作用对于Sb2Te3晶体和电子结构的影响
2.6 本章小结
第3章 压力下Bi2Te3晶体的电子拓扑转变及其输运性质研究
3.1 引言
3.2 Bi2Te3晶体建模及计算参数选取
3.3 Bi2Te3晶格参数优化结果
3.4 Bi2Te3晶体的电子结构
3.5 Bi2Te3晶体在压力作用下的输运性质
3.6 本章小结
第4章 Bi2Te3单分子层结构在外应力下的电子拓扑转变研究
4.1 引言
4.2 Bi2Te3单分子层结构建模及计算参数
4.3 应力作用下Bi2Te3单分子层的晶格结构
4.4 应力作用下Bi2Te3单分子层的Bader电荷和能带结构的变化
4.5 本章小结
结论
论文创新点
展望
参考文献
攻读博士学位期间发表的论文和专利
声明
致谢
个人简历