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单晶6H-SiC 和4H-SiC 的离子辐照效应研究
INVESTIGATION OF IRRADIATION EFFECTSINDUCED BY IONS BOMBARDMENT IN SINGLECRYSTALS OF 6H-SIC AND 4H-SIC
摘 要
Abstract
第1章 绪 论
1.1 课题背景及研究的目的和意义
1.2 SiC晶体结构和物理化学性质
1.2.1 SiC的晶体结构和多型性
1.2.2 SiC的物理化学性质
1.3 SiC单晶及薄膜的生长制备
1.3.1 SiC薄膜制备
1.3.2 SiC单晶生长
1.4 SiC晶体材料辐照效应现状
1.5 带电粒子辐照环境及辐照效应、损伤机制
1.5.1 带电粒子辐照环境
1.5.2 带电粒子辐照环境对SiC材料的辐照效应
1.5.3 带电粒子辐照环境对SiC材料的损伤机制
1.6 本文主要研究内容
第2章 试验材料及试验方法
2.1 试验样品
2.2 带电粒子辐照试验
2.3 分析试验方法
2.3.1 电子顺磁共振谱(EPR)分析
2.3.2 表面形貌观察
2.3.3 X-射线衍射(XRD)分析
2.3.4 X射线光电子能谱(XPS)分析
2.3.5 红外光谱(FTIR)分析
第3章 6H-SiC的离子辐照效应
3.1 离子辐照SiC的SRIM模拟及原子离位损伤
3.2 离子辐照6H-SiC的自由基形成及演化规律
3.3 离子辐照6H-SiC的物相分析
3.4 离子辐照6H-SiC的XPS分析
3.4.1 N离子辐照6H-SiC的XPS分析
3.4.2 质子辐照6H-SiC的XPS分析
3.4.3 Ar离子辐照6H-SiC的XPS分析
3.5 离子辐照6H-SiC微观形貌
3.6 离子辐照6H-SiC拉曼(Raman)分析
3.6.1 N离子辐照6H-SiC的Raman分析
3.6.2 Ar离子辐照6H-SiC的Raman分析
3.6.3 质子辐照6H-SiC的Raman分析
3.6.4 不同注量离子辐照6H-SiC的Raman分析
3.7 本章小结
第4章 4H-SiC的离子辐照效应
4.1 离子辐照4H-SiC的自由基形成及演化规律
4.2 离子辐照4H-SiC的物相分析
4.3 离子辐照4H-SiC的XPS分析
4.3.1 N离子辐照4H-SiC的XPS分析
4.3.2 Ar离子辐照4H-SiC的XPS分析
4.3.3 质子辐照4H-SiC的XPS分析
4.4 离子辐照4H-SiC微观形貌
4.5 离子辐照4H-SiC红外(FTIR)分析
4.6 离子辐照4H-SiC拉曼(Raman)分析
4.6.1 N离子辐照4H-SiC的Raman分析
4.6.2 Ar离子辐照4H-SiC的Raman分析
4.6.3 质子辐照4H-SiC的Raman分析
4.6.4 不同注量离子辐照4H-SiC的Raman分析
4.7 本章小结
结 论
参考文献
哈尔滨工业大学学位论文原创性声明和使用权限
致 谢
