氮化硅薄膜的螺旋波PECVD及其光学特性研究

摘要

本工作采用螺旋波等离子体化学气相沉积(HWP-CVD)方法制备了氢化非晶氮化硅(a-SiN_x：H)薄膜，系统地研究了不同反应气体配比对薄膜特性的影响，得到了沉积不同组分a-SiN_x：H的典型实验条件。利用椭偏仪，傅立叶红外吸收谱(FTIR)，X射线光电子能谱(XPS)等技术对a-SiN_x：H的结构特性进行了表征与分析，结果表明，采用HWP-CVD技术合理控制实验条件，可得到镶嵌在SiN_x中的纳米Si结构薄膜。在此基础上，通过紫外-可见光谱(UV-VIS)技术，时间分辨光致发光谱技术研究了不同组分的富硅a-SiN_x：H薄膜的光吸收和光辐射特性，得到了材料光致发光衰减和辐射光子能量之间的关系，提出了镶嵌在氮化硅中的纳米硅的发光机制，进而探讨了提高纳米硅薄膜发光效率的有效途径。

目录

第1章 绪论

第2章 实验原理和方法

第3章 材料制备及特性分析

第4章 富硅氮化硅薄膜的制备及特性分析

第5章 结束语

参考文献

致谢