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摘 要
Abstract
第1章 绪 论
1.1 研究背景与意义
1.2 晶硅电池发展
1.3 本论文的研究意义和主要内容
第2章 表征方法
2.1 扫描电子显微镜（SEM）
2.2 紫外-近红外光谱测试
2.3 ECV测试
2.4 四探针方块电阻测试
2.5 少子寿命测试
2.6 量子效率测试
2.7 I-V测试
2.8 冷热探针测半导体导电类型
第3章 单晶硅表面制绒过程研究
3.1 单晶硅制绒表面织构化原理
3.1.1 光学损失
3.1.2 单晶硅绒面制备机理
3.1.3 硅片切割模式
3.2 金字塔大小对电池的影响
3.2.1 小金字塔尺寸分析
3.2.2 PC1D模拟绒面大小对电池性能的影响
3.3 绒面的制备
3.4 单晶制绒添加剂对制绒的影响
3.4.1 无添加剂制绒
3.4.2 不同制绒添加剂对绒面的影响
3.5 损伤层对制绒的影响
3.5.1 损伤层形貌与结构
3.5.2 金刚线切割硅片制绒特性
3.5.3 抛光硅片制绒特性
3.6 本章小结
第4章 辊式扩散制备硼发射极
4.1.1 N型太阳电池优势
4.1.2 扩散原理
1.2.1恒定源扩散
1.2.2有限源扩散
4.1.3 硼扩散的主要方式
4.1.4 N型电池制备技术
4.2 辊式扩散制备B发射极
4.2.1 辊式扩散发展
4.2.2 B发射极的制备
4.2.3 电池性能测试
第5章 论文总结
参考文献
致 谢
攻读学位期间取得的科研成果
