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【6h】

多足和盘状ZnO及ZnO(PbS)/碳纳米管异质纳米结构的光电特性研究

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第一章绪论

1.1引言

1.2 ZnO纳米材料特性

1.3 ZnO纳米结构的制备方法

1.4 ZnO纳米结构的器件应用

1.5本论文的主要工作及创新点

参考文献

第二章在SOI衬底上生长的多足状纳米ZnO的光致发光与受激发射研究

2.1引言

2.2半导体光致发光和激光的基本理论

2.3多足状纳米ZnO样品的制备

2.4多足状纳米ZnO的结构和形貌表征

2.5多足状纳米ZnO的拉曼散射的研究

2.6多足状纳米ZnO的光致发光的研究

2.7多足状纳米ZnO的紫外激光发射的研究

2.8本章小结

参考文献

第三章在SOI衬底上生长的六角ZnO纳米盘的紫外激光发射和时间分辨光谱研究

3.1引言

3.2六角盘状纳米ZnO的制备

3.2六角盘状纳米ZnO的结构与形貌表征

3.3六角盘状纳米ZnO的光致发光的研究

3.4六角盘状纳米ZnO受激发射的研究

3.5时间分辨光谱研究

3.6本章小结

参考文献

第四章液相法制备的ZnO(PbS)量子点/多壁碳纳米管异质结构的光电特性的研究

4.1引言

4.2 ZnO/MWCNT异质结构的制备

4.3 ZnO/MWCNT异质结构的表征

4.4 ZnO/MWCNT异质结构的光致发光的研究

4.4 ZnO/MWCNT异质结构的光电流响应特性的研究

4.5 PbS/MWCNT异质结构光电特性的研究

4.6本章小结

参考文献

第五章总结

攻读博士学位期间取得的成果

致谢

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摘要

本论文的研究结果概括如下: 1.SOI衬底上生长的多足状纳米ZnO的光致发光与受激发射采用热蒸发法,在没有催化剂的条件下,在SOI衬底上成功制备了多足状三维ZnO纳米结构。通过光致光谱研究了纳米结构的发光特性,发现样品具有相当强的绿光发射和较弱的紫外光发射,这表明样品中含有大量的氧空位或表面态。样品经过乙醇表面处理后,紫外发光强度明显增强,这是由于样品表面吸附的氧分子所导致的。在变温的光致发光谱中,紫外发光显示了一个不寻常的发光现象:在50-120 K温度范围内,紫外发射积分强度随温度的升高而增加,这与在无序的多孔硅体系中发现的不寻常发光行为非常类似,进一步反映了多足状ZnO中含有丰富的表面态。另外,尽管样品晶体质量不完美,仍然可以在3.23 eV左右观测到紫外激光发射,受激发射可能归咎于激子.激子碰撞的辐射复合。这种分级的三维纳米结构在多端纳米传感器等方面具有应用价值。 2.SOI衬底上垂直生长的六角ZnO纳米盘的紫外激光发射和时间分辨光谱采用热蒸发法,在没有催化剂的条件下,直接在SOI衬底表面首次生长得到垂直于衬底表面的二维ZnO盘状纳米结构。所制备的ZnO纳米盘,均是六方纤锌矿结构的单晶,呈六边形结构,对角线的长度和厚度分别介于0.8~3 μm和1 0-20 nm之间,厚度相对于对角线而言是非常薄的,因此具有超薄的形貌特征。采用飞秒和皮秒激光器对ZnO纳米盘进行了受激辐射和时间分辨光谱的研究,第一次在这种六角盘状ZnO纳米结构中观测到紫外激光发射,激光发射的中心波长在385 nm(3.22 eV)左右,受激辐射的阀值能量密度为205 μJ/cm2。通过对样品的激光机制的分析,发现六角纳米盘的受激辐射来自于纳米盘自身构成的谐振腔,谐振腔中回音壁式(WGM)激光模式占主导地位。通过对样品的时间分辨光致发光谱的研究,结果表明:当泵浦光强低于阀值激发时,时间分辨光谱能够用双指数衰减模型拟合得到的两个寿命分别为68 ps和376 ps。当泵浦光强高于阀值激发时,时间分辨光谱主要由一个寿命为2 ps的衰减过程决定。这种ZnO盘状纳米结构可望用来制作纳米激光器。 3.液相法制备的Zno(PbS)量子点/多壁碳纳米管异质结构的光电转换特性的研究通过简单的液相法将ZnO量子点直接组装到多壁碳纳米管(MWCNT)的表面,成功地构筑了新颖的-维异质结构。这种直接组装的方法能够较好的保持MWCNT原有的结构和独特光电性能。通过对样品的光致发光谱的研究,发现MWCNT能够有效地猝灭ZnO量子点的发光,进一步分析表明处于激发态的ZnO量子点与MWCNT之间存在电荷转移相互作用。并且,在365 nm紫外光照射下,由ZnO/MWCNr异质结构形成的薄膜电极显示了良好的可重复的光电流响应特性.有趣的是,由于MWCNT的引入导致了ZnO纳米颗粒薄膜电极的光电流增加了2 倍,这进一步证实两者之闻确实存在光诱导电荷转移,也反映了这种一维异质结构具有较强的电荷分离和传输能力。基于ZnO/MWCNT异质结构的设计思路,PbS量子点也被成功地组装到MWCNT的表面,形成PbS/MWCNT异质结构。研究发现通过改变反应条件可以控制异质结构中量子点的尺寸、形状和覆盖密度,并且PbS量子点与MWCNT之间也存在光诱导电荷转移。这种新颖的半导体量子点/多壁碳纳米管杂化结构可望应用于光电转换器件领域。

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