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声明
第1章 导论
1.1 场发射平板显示器发展概况
1.2 场发射冷阴极材料发展概况
1.3 氧化钨纳米材料的物性及研究现状
1.4 本论文研究的主要目的
1.5 本论文的主要工作和章节内容安排
参考文献
第2章 场致电子发射的相关理论和实验方法
2.1 场致电子发射的基本理论
2.2 场致电子发射的实验方法
2.3 大面积冷阴极的场发射特性分析方法
参考文献
第3章 大面积热蒸发设备与测试仪器
3.1 大面积热蒸发设备的研制
3.2 热蒸发原材料的处理
3.3 材料的分析测试手段
3.4 小结
参考文献
第4章 氧化钨纳米材料的生长条件与制备方法研究
4.1 氧化钨纳米材料的生长条件
4.2 低温度下可控生长氧化钨纳米线
4.3 制备比例可调的氧化钨三维纳米线网络
4.4 多步法制备氧化钨铅笔状纳米结构
4.5 大面积氧化钨纳米材料的均匀性
4.6 小结
参考文献
第5章 大面积氧化钨冷阴极材料的场发射性能研究
5.1 氧化钨纳米材料的场发射特性
5.2 大面积场发射均匀性的评价方法
5.3 电流处理改善场发射均匀性
5.4 大面积氧化钨冷阴极在原型器件上的应用
5.5 小结
参考文献
第6章 总结与展望
6.1 本论文的主要研究内容和结论
6.2 研究展望
附录
致谢