摘要
主要符号表
第一章 绪论
1.1 本课题的研究背景与意义
1.2 单晶SiC基片超精密磨粒加工研究现状
1.2.1 基于游离磨料的研磨抛光加工
1.2.2 基于固着磨料的磨削加工
1.2.3 基于半固着磨料的磁流变抛光加工
1.2.4 化学机械抛光
1.2.5 特种加工
1.3 课题的来源
1.4 论文主要研究内容
第二章 单晶6H-SiC基片的磨粒作用行为研究
2.1 引言
2.2 单晶6H-SiC基片的纳米力学试验
2.2.1 纳米力学测试仪器
2.2.2 纳米压痕测试原理
2.2.3 测试结果
2.3 单晶6H-SiC基片的脆性断裂试验
2.3.1 试验设备及微裂纹观察方法
2.3.2 试验结果与分析
2.4 材料去除综合分析
2.5 本章小结
第三章 单晶6H-SiC基片的研磨加工研究
3.1 引言
3.2 研磨加工理论分析
3.2.1 研磨加工原理
3.2.2 研磨过程材料去除模型
3.3 研磨试验
3.3.1 试验设备
3.3.2 试验方法
3.3.3 试验结果
3.4 研磨加工材料去除过程综合分析
3.5 本章小结
第四章 单晶6H-SiC基片超精密磨削加工研究
4.1 引言
4.2 超精密端面磨削加工原理
4.2.1 超精密厚度测量原理
4.2.2 超精密进给理论
4.2.3 超精密表面形成理论
4.3 试验条件
4.3.1 试验设备
4.3.2 试验方法
4.4 磨削结果分析
4.4.1 表面形貌特征
4.4.2 对表面粗糙度的影响
4.4.3 砂轮磨损观察
4.4.4 磨削力特征
4.4.5 亚表面损伤分析
4.4.6 磨削工艺优化
4.5 固着磨粒材料去除过程分析
4.6 本章小结
第五章 单晶6H-SiC基片的集群磁流变抛光加工研究
5.1 引言
5.2 集群平面磁场特性仿真优化
5.2.1 磁极排布方向对磁流变效应抛光膜特性影晌
5.2.2 磁极形状对磁流变效应抛光膜特性的影响
5.2.3 磁极尺寸对集群磁流变效应抛光膜特性的影响
5.3 集群磁流变抛光膜材料去除模型
5.3.1 “微磨头”对工件表面的磁流变效应压力
5.3.2 “微磨头”对工件的流体动压力
5.3.3 材料去除模型
5.4 集群磁流变平面抛光磨粒运动轨迹分析及仿真
5.4.1 磨料运动轨迹的数学建模
5.4.2 磨料运动轨迹计算机仿真
5.5 集群磁流变平面抛光加工过程研究
5.5.1 试验方法
5.5.2 集群磁流变抛光膜集群特性分析
5.5.3 集群磁流变平面抛光加工工艺研究
5.6 集群磁流变平面抛光工作液组分优化试验
5.6.1 pH值对抛光效果的影响
5.6.2 金刚石磨料浓度对抛光效果的影响
5.6.3 磨粒溶胶匹配对抛光效果的影响
5.6.4 抛光工作液温度对抛光效果的影响
5.6.5 氧化剂对抛光效果的影响
5.7 单晶6H-SiC基片的集群磁流变抛光表面形貌分析
5.8 单晶6H-SiC的集群磁流变抛光材料去除机理分析
5.9 新型集群磁流变抛光装置设计
5.10 本章小结
全文主要结论与展望
参考文献
攻读博士学位期间所取得的成果
声明
致谢