声明
第一章 引言
§1.1 量子霍尔效应与拓扑绝缘体
§1.1.1 量子霍尔效应
§1.1.2 量子反常霍尔效应与陈拓扑绝缘体
§1.1.3 量子自旋霍尔效应与Z2拓扑绝缘体
§1.2 Weyl半金属
§1.2.1 磁性Weyl半金属
§1.2.2 非磁性Weyl半金属
§1.2.3 第二类Weyl半金属
§1.3 本文的研究目的、方法及内容
第二章 理论基础
1 密度泛函理论
1.1 Hartree-Fock理论
1.2 Thomas-Fermi理论
1.3 Hohenberg-Kohn定理
1.4 Kohn-Sham方程
1.5 交换关联泛函
2 Wannier函数
3 Berry相
4 计算工具
5 小结
第三章 非磁性Weyl半金属CrAlTiV的电子性质研究
1 引言
2 晶体结构计算方法
3 体电子结构
4 拓扑表面态
5 小结
第四章 Heusler家族216空间群Weyl点的k·p模型
1 引言
2 k·p分析有效哈密顿量
3 小结
第五章 F(4)3m空间群的基本能带表示
1 能带的表示
2 F(4)3m空间群InSTl的基础能带分析
3 小结
第六章 结论和展望
1 工作总结
2 展望
参考文献
论文发表情况
致谢
