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目录
1 引 言
1.1 半导体核辐射探测器及其需求背景
1.2 CdZnTe探测器的研究现状
1.3 本文研究内容
2 CdZnTe像素探测器
2.1 CdZnTe材料特性
2.2 探测器工作原理
2.3 探测器内部物理过程
2.4 探测器的读出电路
3 CdZnTe像素探测器物理模型构建
3.1 能量沉积与MCNP模拟
3.2 权重场与权重势
3.3 信号的收集
3.4 结果与讨论
4 CdZnTe像素探测器特性描述及实验结果
4.1 探测器的制备
4.2 噪声测试
4.3 像素探测器的能量分辨率
4.4 电荷的共享与损失
4.5 像素尺寸的优化
5 高通量辐照实验中的极化效应增强过程
5.1 动态极化效应
5.2 动态极化效应的增强
5.3 极化增强机理及数学模型
6 总 结
致谢
参考文献
附录
重庆大学;