Electr. Lab., Dept. of Electr. Inf. Eng., University of Oulu, P.O. Box 4500, Oulu, Finl;
bipolar transistor; GaAs; avalanche multiplication; gunn domains; microwave switch;
机译:高压二极管的皮秒范围雪崩开关:Si与GaAs结构
机译:GaAs雪崩晶体管的超快速大电流开关
机译:完全自对准的AlGaAs / GaAs异质结双极晶体管,适用于高速集成电路应用
机译:电路电流对GaAs雪崩晶体管中皮秒切换速度和效率的影响
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:GaN和GaAs高速晶体管的降解机理
机译:使用雪崩晶体管进行高压电路的纳秒切换