Key Laboratory of RF Circuits and Systems Ministry of Education Hangzhou Dianzi University Hangzhou China;
Key Laboratory of RF Circuits and Syste;
Phase shifters; 5G mobile communication; Layout; Switches; Phased arrays; Insertion loss; Tuning;
机译:具有低插入损耗和20 GHz连续0-360 / spl deg /相移的单片GaAs移相器电路
机译:65-NM CMOS技术中的27-42GHz低相位误差5位无源移液器
机译:在90nm CMOS中采用可调电流分流技术的60GHz 19.8mW电流重用有源移相器
机译:37-42 GHz连续可调谐移相器在150 nm GaAs Phemt中
机译:土壤水分和植被对37 GHz微波极化差指数以及91和150 GHz地球表面发射率的影响。
机译:使用液相沉积的TiO2作为栅介质的AlGaAs / InGaAs PHEMT的亚阈值特性和闪烁噪声降低
机译:设计用于宽带(300mHz至2GHz)LNa的低泄漏InGaas / Inalas pHEmT