Department of Chemical Engineering, University of California, Los Angeles, CA 90095, U.S.A;
机译:原子表面结构在III-V型化合物半导体的金属有机化学气相沉积中的作用
机译:高性能GaAs基金属氧化物半导体异质结构场效应晶体管,原子层沉积Al_2O_3栅氧化物并通过有机金属化学气相沉积原位钝化AlN
机译:通过金属有机化学气相沉积法生长的III-V半导体异质结器件
机译:原子表面结构在III-V复合半导体的金属化学气相沉积中的作用
机译:金属有机化学气相沉积和激光光化学气相沉积对III-V族化合物半导体材料的生长和表征
机译:Inn量子点和纳米结构的金属化学化学气相沉积
机译:通过金属有机化学气相沉积生长和表征III-V化合物半导体纳米结构
机译:通过热和激光辅助金属有机化学气相沉积的III-V化合物半导体的原子层外延