机译:硅晶体生长和晶圆加工中缺陷形核和生长的微观基础
机译:非晶硅的缺陷诱导形核和生长
机译:硅晶体的本征点缺陷和生长的微缺陷,评论:“从熔体生长过程中硅晶体的本征点缺陷行为:源自实验结果的模型”,T。Abe,T。Takahashi,《晶体生长杂志》 334 (2011)16
机译:硅中延长缺陷的成核和生长
机译:氮掺杂硅中缺陷的形核和生长。
机译:碳-碳薄膜的电化学沉积:成核和生长机理的研究
机译:缺陷诱导的非晶硅成核和生长
机译:碳化硅和碳化硅单晶CVD生长过程中缺陷成核的原位研究;最终的项目报告。 2007年1月至2008年4月