Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd., 1-280 Higashi-Koigakubo, Kokubunji-shi, Tokyo 185-8601, Japan;
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机译:使用二维器件仿真的LDD多晶硅TFT的行为分析
机译:通过比较正负特性和反向特性以及热载流子退化的行为分析来评估多晶硅TFT的退化
机译:直流应力引起的多晶硅TFT的降解行为分析
机译:用途测量分析Poly-Si TFT中的滞后行为
机译:通过使用精确教学和交互分析对教师和TMR学生行为的连续描述,测量和修改
机译:通过电流密度 - 电压和阻抗光谱测量与碳对电极具有碳对电极的空穴传输 - 无材料整体钙钛矿太阳能电池的滞后分析
机译:通过交流输出电导测量,浮体和自热效应Poly-Si TFT的表征
机译:场转子测量。准备用于分析失速滞后的数据集