Solid State Scientific Corp. (USA);
Univ. of Central Florida (USA);
Zyberwear, Inc. (USA);
Air Force Research Lab. (USA);
机译:InGaAs变质高电子迁移率晶体管与InGaAs / InP复合沟道变质高电子迁移率晶体管的击穿特性比较研究
机译:InGaP / InGaAs / GaAs高电子迁移率晶体管中二维电子的太赫兹等离子体波共振
机译:具有线性渐变In_xGa_(1-x)As通道的δ掺杂InAlAs / InGaAs / InP高电子迁移率晶体管的研究
机译:INGAAS / INP高电子迁移率晶体管二维电子气体等离子体共振的研究
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:电子辐照通量对基于InP的高电子迁移率晶体管的影响
机译:InGaAs / InP和GaAs / AlGaAs中高迁移率二维电子中的非线性磁传输现象
机译:高电子迁移率晶体管中准二维电子气的monte Carlo研究