Royal Institute of Technology (KTH), Department of Electronics, Electrum 229, SE-164 40 Kista-Stockholm, Sweden;
机译:掺磷多晶硅和SiO2的高温退火过程中磷的扩散
机译:磷掺杂剂扩散,活化和退火。使用红外激光器合成N型硅薄膜
机译:磷注入硅太阳能电池退火扩散扩散模型
机译:硅磷扩散;退火条件的影响
机译:在快速辅助快速热退火过程中,硼的活化和扩散会改变硅的初始工艺条件。
机译:使用牺牲多孔硅层的多晶硅磷扩散吸杂工艺
机译:磷掺杂剂扩散,活化和退火。使用红外激光器合成N型硅薄膜