Centro Nacional de Microelectronica, CNM-CSIC, Barcelona, Spain;
机译:基于6.5 kV Si-IGBT / Si-PiN二极管,6.5 kV Si-IGBT / SiC-JBS二极管和10kV SiC-MOSFET / SiC-JBS的大功率中压转换器的设计比较二极管
机译:通过硼扩散的局部寿命控制来改善4H-SiC功率p-i-n二极管的开关性能
机译:通过P_2O_5表面钝化处理改进Mo / 4H-SiC肖特基二极管
机译:SIC电源二极管通过细表面抛光改善
机译:使用大功率直接二极管激光器的激光表面改性过程的热动力学建模和实验研究。
机译:表面改性和磨料抛光之间的竞争:控制4H-SiC表面原子结构的方法(0001)
机译:siC与si - 用siC功率半导体评估电力电子变换器系统性能的潜力
机译:宽间隙半导体,siC和GaN的低频噪声特性研究,以及siC基功率器件,二极管和晶闸管的主要特性