Advanced Technology Research Center, Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. 1-8-1, Sachiura, Kanazawa-ku, Yokohama 236-8515, Japan;
机译:基材表面形态和化学性质对微晶硅成核和生长的影响
机译:实时光谱椭圆偏光法研究微晶硅薄膜中成核和晶粒长大的过程-艺术没有。 115306
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机译:方面生长和成核对数值模型微晶硅的影响
机译:在垂直Bridgman系统中有无刻面的半导体和光学晶体生长的通用数值模型。
机译:碳-碳薄膜的电化学沉积:成核和生长机理的研究
机译:多晶硅从平面刻面向等轴生长转变的元胞自动机模型
机译:在二氧化硅晶片的水热加工中形成有活力的核和颗粒生长:入口效应的模拟研究