INS A LYON, LPM UMR C5511 'LPM 20 av. Einstein, 69621 Villeurbanne Cedex, France;
机译:低温下用于高密度铁电存储应用的非常薄的Pb(Zr,Ti)O_3薄膜的金属有机化学气相沉积
机译:高氧压退火低温制备溅射沉积Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3薄膜
机译:低温反应溅射沉积Pb(Zr,Ti)O_3薄膜中的铅过量
机译:溅射PB(ZR,TI)O_3薄膜和基于膜的微系统应用的简单和低成本的图案化工艺
机译:压电瘤应用Pb(Zr0.3Ti0.7)O3薄膜对缩放效应对缩放效应的影响
机译:具有可调谐应用的PbZr0.52Ti0.48O3 / Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7组成层的多层薄膜
机译:用于基于全氧化物$ LaNiO_3 / pb(Zr,Ti)O_3 / LaNiO_3薄膜的压电mEms器件的大面积脉冲激光沉积和组装工艺
机译:用于pb(Zr,Ti)O(sub 3)薄膜电容器的La(sub 0.5)CoO(sub 3)// pt复合电极的射频磁控溅射沉积