Institute of Solid State Physics, University of Bremen Kufsteiner Str., 28334 Bremen, Germany;
机译:透射电子显微镜研究在两个温度过程中生长的InGaN / GaN MOVPE多量子阱的不均匀性
机译:La2-xSrxCuO4薄膜中生长缺陷的透射电子显微镜和高分辨率电子显微镜
机译:用透射电子显微镜和原子力显微镜研究云母上铝膜的外延生长和表面形貌
机译:MG相关缺陷形成在Movpe基于GaN的薄膜研究中的透射电子研究
机译:透射电子显微镜探索GaN的电子器件的物理缺陷和降解机制
机译:阴极发光和截面透射电镜研究Berkovich纳米压痕下GaN薄膜的形变行为
机译:透射电子显微镜研究顺磁性共掺杂ZnO薄膜的缺陷
机译:两步横向外延过度生长的非平面GaN衬底模板中缺陷减少的透射电子显微镜研究