Quantum-functional Semiconductor Research Center, Dongguk University, Seoul 100-715, Korea;
机译:机械抛光剥离法HVPE制备大面积自支撑GaN衬底
机译:垂直GaN-On-GaN引脚二极管,在使用氨热法的独立GaN晶片上制造
机译:在氨热GaN种子上由氢化物气相外延结晶的GaN层制备自支撑GaN衬底
机译:制备30x30mm〜2独立GaN晶片通过机械升降和光学性质通过阴离子发光的自由GaN的背面
机译:GaN,ZnO和(GaN)1-x(ZnO)x的结构,电子和光学性质的第一性原理研究。
机译:2氨热自立式GaN晶片的结构和电气特性。试生产进展
机译:alGaN / GaN高电子迁移率晶体管,在独立的GaN晶圆上具有低亚阈值摆幅
机译:在LiaIO上生长(1010)取向的独立式50mm直径GaN晶片的结构特性