Untersuchungen an a-Si:H/c-Si-Heteroübergängen

摘要

In der auf Silizium basierenden Photovoltaik finden pn-Solarzellen aus kristallinem Silizium (c-Si) und pin-Solarzellen aus hydrogenisiertem amorphen Silizium (a-Si:H) Verwendung. Die Verknüpfung der jeweiligen Vorteile (die einfache Herstellung des amorphen Siliziums und die guten elektrischen Eigenschaften des kristallinen Siliziums) wird bei den Solarzellen auf der Basis von a-Si:H/c-Si-Heterostrukturen angestrebt. Diese Hetero-strukturen besitzen im allgemeinen eine p-a-Si:H/i-a-Si:H-c-Si oder eine n-a-Si:H/i-a-Si:H/p-c-Si Struktur und werden als ACJ-HIT-Solarzellen (artificially constructed junc-tion - heterojunction with intrinsic thin layer) bezeichnet.