机译:Si_(1-α(x)-β(x))Ge_(α(x))C_(β(x))/ Si异质结处的掠角入射X射线衍射,其中锗和碳浓度是周期性的沿平层表面变化
Dept. of Informatics and Applied Mathematics, Yerevan State University, #1, Alex Manoogian Street, Yerevan 375025, Republic of Armenia;
机译:如果组成系数alpha(x)沿平坦入射表面呈谐波变化,则Si_(1-alpha(x))Ge_(alpha(x)薄层的掠角入射X射线衍射
机译:利用升华硅源和气态锗源通过分子束外延生长在Si /蓝宝石上生长的Si_(1-x)Ge_(x)层的结构和表面形态
机译:用X射线衍射和卢瑟福背散射测量的半导体薄膜中的Vegard定律偏差:Ge_(1-)_ySn_y和Ge_(1-)_xSi_x情况
机译:通过Si_(1-α(x)-β(x))Ge_(α(x))c_(β(x))/ si异质结周期性地是锗和碳浓度的X射线衍射X射线衍射沿着平板表面变化
机译:硅锗薄膜中浓度和应变相关互扩散的X射线衍射研究。
机译:通过共面和非共面X射线衍射表征在(011)和(111)取向硅上生长的锗层中的位错
机译:薄晶体表面层的三波掠入射X射线衍射:三重态相不变性的测定