Mikrostrukturanalytik, Technische Fakultaet der Christian-Albrechts-Universitaet Kiel, Kaiserstrasse 2, D-24143 Kiel;
机译:从透射电子显微镜图像中的弯曲轮廓确定晶体极性
机译:平面图(001)样品通过会聚束电子衍射实验确定的闪锌矿半导体化合物的晶体极性:应用于ZnSe晶体
机译:结构因子相法确定二元半导体极性的适用性研究
机译:从弯曲轮廓确定化合物半导体的晶体极性
机译:III-V硼化合物半导体的先进晶体生长技术。
机译:不含颗粒催化剂的蒸气–液体–固体在其上生长毫米级晶体化合物半导体非外延衬底
机译:纳米晶体电子显微图像中弯曲轮廓的对称性
机译:化合物半导体在低重力环境中的晶体生长(InGaas晶体)(m-22)