Technology Department, Leo Division, Genesis Technology Inc.,5-5, Takatsukadai 1-chome Nishi-ku, Kobe, HYOGO, 651-2271 JAPAN;
Information System Department,Electronics Information Division, Kobe Steel, Ltd.5-5, Takatsukadai 1-chome Nishi-ku, Kobe, HYOGO, 651-2271 JAPAN;
Information System zepartment, Electronics Information Division, Kobe Steel, Ltd.5-5, Takatsukadai 1-chome Nishi-ku, Kobe, HYOGO, 651-2271 JAPAN;
recombination lifetime; photo-conductivity decay; μ PCD; iron; molybdenum; interface trap density; silicon; epitaxial;
机译:微波光导衰减法测量等离子刻蚀GaN的超载子寿命
机译:微波测量硅锭载流子寿命中观察到的异常光电导衰减。
机译:用光诱导载流子微波吸收法测量少数载流子的寿命
机译:通过微波光导衰减方法进行载体寿命测量
机译:量子效率和少数载体寿命测量的微波仪表和传感技术
机译:使用谐振微波电路测量微米级材料中的载流子寿命
机译:用微波光电导衰减法测量大块p型siC晶片中的过剩载流子寿命
机译:少数载体寿命测量的光电压衰减(pVD)方法的数学分析