CMOS integrated circuits; capacitance; electrostatic discharge; integrated circuit layout; radiofrequency integrated circuits; rectifiers; CMOS technology; ESD robustness; RF circuit performance; RFIC; low-capacitance SCR; on-chip ESD protection device; parasitic ca;
机译:具有华夫格布局结构的低电容SCR,用于RF IC的片上ESD保护
机译:具有华夫格布局结构的坚固且面积高效的nLDMOS-SCR用于高压ESD保护
机译:片上系统级ESD保护应用的GGISCR结构的布局优化
机译:具有华夫格布局结构的低电容SCR,用于RF IC的片上ESD保护
机译:用于砷化镓异质结双极晶体管(HBT)射频集成电路(RFIC)的低负载电容片上静电放电(ESD)保护电路。
机译:具有嵌入式载流子复合结构的新型高保持电压SCR可实现闩锁免疫和强大的ESD保护
机译:采用华夫饼结构可控硅的全集成CmOs射频功率放大器的EsD保护设计
机译:1976年8月6日至7日在马里兰州贝塞斯达举行的国家生物医学和行为研究人类受试者保护委员会会议记录(第21次)全文。