Air Force Research Laboratory, Wright-Patterson Air Force Base, Ohio 45433, USA;
Air Force Research Laboratory, Wright-Patterson Air Force Base, Ohio 45433, USA;
Air Force Research Laboratory, Wright-Patterson Air Force Base, Ohio 45433, USA;
Air Force Research Laboratory, Wright-Patterson Air Force Base, Ohio 45433, USA;
Department of Physics, University of Dayton, Dayton, Ohio 45469 USA;
机译:生长温度对InAs / GaInSb应变层超晶格的影响,用于超长波长红外检测
机译:用于长波长和超长波长红外应用的InAs / GaInSb II型超晶格红外探测器的理论研究
机译:生长优化研究以开发用于超长波长红外检测的InAs / GaInSb超晶格材料
机译:MBE沉积条件对非常长的波长红外检测INAS / GAINTB超晶格的影响
机译:针对长波长红外探测器优化的InAs / GaInSb应变层超晶格的设计和演示。
机译:基于InAs / InAs1-xSbx / AlAs1-xSbx II型超晶格的偏置可选nBn双波段长/非常长波长红外光电探测器
机译:生长温度对InAs / GaInSb应变层超晶格对超长波长红外检测的影响
机译:生长优化研究开发用于超长波长红外检测的Inas / GaInsb超晶格材料(后印刷)。