Institute of Precision Engineering, National Chung Hosing University 250, Kuo-Kuang Road, Taichung 402, Taiwan;
机译:采用DRIE和晶圆键合技术的用于刚性背板的双芯片电容式麦克风
机译:使用单晶片技术制造硅电容麦克风
机译:使用DRIE和背面蚀刻技术的单芯片电容式微型麦克风
机译:晶圆键合技术的硅基电容麦克风
机译:用于III-V晶片键合的硫钝化技术
机译:金膜厚度和表面粗糙度对室温晶圆键合和金-金表面活化键合的晶圆级真空密封的影响
机译:使用Drie和晶圆粘合技术用刚性背板和垂直声孔的冷凝器麦克风的设计与制造
机译:使用晶片键合技术创建无缺陷高Ge含量(25%)siGe-on-Insulator(sGOI)衬底的方法。