首页> 外文会议>Proceedings of the Twenty-Third International Symposium on Compound Semiconductors held in St Petersburg, Russia, 23-27 September 1996 >Fabrication of monolithic voltage controlled oscillator using selective-area metalorganic chemical vapor deposition
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Fabrication of monolithic voltage controlled oscillator using selective-area metalorganic chemical vapor deposition

机译:使用选择性区域金属有机化学气相沉积法制造单片压控振荡器

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摘要

We have fabricated a fully monolithic voltage controlled oscillator (VCO) using selective-area metalorganic chemical vapor deposition (SMOCVD). In this structure, it is easy to integrate FETs and varactor diodes with low resistances. The oscillation frequency of the fabricated VCO varied from 4.37GHz to 4.927GHz. The SSBphase noise was-76dBC/Hz and-112dBC/Hz at 100KHz and 1MHz offset from carrier frequency, respectively.
机译:我们已经使用选择性区域金属有机化学气相沉积(SMOCVD)制成了完全单片压控振荡器(VCO)。采用这种结构,很容易集成低电阻的FET和变容二极管。制成的VCO的振荡频率在4.37GHz至4.927GHz之间变化。从载波频率偏移100KHz和1MHz时,SSB相位噪声分别为-76dBC / Hz和-112dBC / Hz。

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