緑色LEDにおける表面プラズモン効果のためのp-GaN層の最適化

摘要

プラズモニクスは、金属と半導体等の誘電体との界面に発生する自由電子のプラズマ振動である表面プラズモン（SP）を制御・利用する技術であり、発光ダイオードの発光効率を改善するために非常な有望な方法の 1つである。活性層と金属の距離が近いほど表面プラズモンの効果を得やすいことが報告されている。また、金属と半導体の間に薄い誘電体層を使用することによりSP効果を改善することができる。本発表では異なる膜厚のp-GaN上にSiO2薄膜を製膜し、デバイスの評価を報告する。