首页> 外文会议>2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集 >Anomalous Hall Effect in Epitaxial Thin Films of Mn_2VAl Full-Heusler Alloy
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Anomalous Hall Effect in Epitaxial Thin Films of Mn_2VAl Full-Heusler Alloy

机译:Mn_2VAl全Heusler合金外延薄膜中的异常霍尔效应

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摘要

Mn-based full-Heusler ferrimagnet, Mn_2VAl is a promising source for spin injection because of its high spin polarization and low magnetization, however, the magneto-transport properties of the thin films have scarcely been reported. Mn_2VAl may exhibit specific behavior in anomalous Hall effect (AHE) as compared to well-studied Co-based Heusler alloys because the DOS in spin-down electrons for Mn_2VAl consists of the d orbital band at the Fermi level. In this study, AHE in epitaxial thin films of Mn_2VAl was investigated.
机译:Mn基全Heusler铁氧体Mn_2VAl由于其高自旋极化和低磁化强度而成为自旋注入的有希望的来源,然而,几乎没有报道薄膜的磁传输特性。与经过充分研究的Co基Heusler合金相比,Mn_2VA1在异常霍尔效应(AHE)中可能表现出特定的行为,因为Mn_2VA1的自旋电子中的DOS由费米能级的d轨道带组成。在这项研究中,研究了Mn_2VAl外延薄膜中的AHE。

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