シリコンヘテロ接合太陽電池正孔選択層応用へ向けた酸化タングステンの低ダメージ形成

摘要

高品質水素化アモルファスシリコン(a-Si:H)を用いたシリコンヘテロ接合(SHJ)太陽電池は、理論限界に肉薄するような高い変換効率を達成している。高品質a-Si:Hの形成にはPECVD法が広く使用されているが、強い毒性•爆発性ガスを原料ガスに使用する必要がある。そのため、安全なプロセスによるa-Si:H作製、またはその代替材料の検討が行われている。これまで、我々はパッシベーション層であるi-a-Si:Hを対向ターゲットスパッタ(FTS)法により作製し、SHJ太陽電池用薄膜の作製にFTS法が有望であることを報告している。本報告では、正孔選択層の代替材料として報告のある酸化タンダステン(WO_x)をFTS法により作製し、薄膜の評価を行った結果を報告する。