Si-Ge 系コア・シェル量子構造の高密度集積と光・電子物性制御

摘要

Si-Ge 系半導体では、極微細MOS トランジスタや薄膜太陽電池の高性能化に向けた技術開発が勢力的に進められている一方で、発光や熱電変換等の新たな機能を持つデバイス開発に向けた研究も盛hになっている。とりわけ、ナノスケールに寸法制御した量子構造では、電子状態の離散化に伴って、量子閉じ込め効果やクーロンブロッケイド効果が顕在化し、バルクとは異なる特異な光・電子物性が発現することから、固体量子計算[1]を含む、様々な光電子融合応用の分野において、機能発現エレメントとしての活用が注目されている。