National Technical University of Athens Department of Electrical and Computer Engineering, Division of Electroscience 9 Iroon Polytechniou str, 157 73 Zografou, Athens, Greece;
high injection; field emission; surface accumulation-depletion; plasma in interfacial cavity; ion neutralization; helmholtz ion layer; metal contacts; current instabilities; blow-open forces;
机译:高注入金属之间的静电排斥:实验研究
机译:在45纳米节点互补金属氧化物半导体的高压缩接触蚀刻停止层下使用缓冲层的新型负偏置温度不稳定性改善
机译:通过阳极充电通道内通过静电排斥高效排除碱金属离子
机译:高注入金属触点上正离子层形成的含义:电流不稳定性和静电排斥
机译:功能化链烷硫醇盐自组装单层上形成金属和半导体接触的反应途径。
机译:金属/金属接触中的原位产生摩擦材料:植入物的当前理解和未来含义
机译:通过阳极充电通道内通过静电排斥高效排除碱金属离子
机译:在无容器静电悬浮加工过程中高度过冷Zr(sub 41.2)Ti(sub 13.8)Cu(sub 12.5)Ni(sub 10.0)Be(sub 22.5)中的金属玻璃形成