DSM/IRFU,CEA Saclay F-91191 Gif-sur-Yvette Cedex,France;
Institut für Teilchenphysik,ETHZ,CH-8093 Zürich,Switzerland;
LCPME,CNRS-Nancy-Université,405 rue de Vandoeuvre,F-54600 Villers-lès-Nancy,France;
LCPME,CNRS-Nancy-Université,405 rue de Vandoeuvre,F-54600 Villers-lès-Nancy,France;
DSM/ IRAMIS,CEA Saclay F-91191 Gif-sur-Yvette Cedex,France;
DSM/IRFU,CEA Saclay F-91191 Gif-sur-Yvette Cedex,France;
CNRS-CERI,3A rue de la Férollerie,F-45071 Orléans Cedex 2,France;
CNRS-CERI,3A rue de la Férollerie,F-45071 Orléans Cedex 2,France;
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST),Tsukuba,Ibaraki 305-8568,Japan;
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST),Tsukuba,Ibaraki 305-8568,Japan;
Institut für Teilchenphysik,ETHZ,CH-8093 Zürich,Switzerland;
Institu;
机译:表面活性剂模板介孔二氧化硅薄膜中正-正电子的释放率和能量
机译:多孔体积分数变化的中孔二氧化硅薄膜:正-正ron灭衰减与逃逸至真空的直接关系
机译:电生成的表面活性剂模板介孔有机硅膜修饰的铂超微电极:膜形成条件对其在预浓缩电分析中的性能的影响
机译:表面活性剂模板介孔二氧化硅膜中的正正常数再排放产率和能量
机译:含光敏半导体的SBA-15介孔二氧化硅薄膜的应用及有序结晶介孔二氧化钛薄膜的开发。
机译:通过正电子湮没寿命光谱和椭圆仪孔隙测定研究的开放孔隙率和孔径分布的介孔二氧化硅膜
机译:多孔体积分数变化的介孔二氧化硅薄膜:正-正ron灭与衰变和逃逸至真空的直接关系