III-V/Si ハイブリッドSOA 多機能集積に向けたハイブリッド領域/シリコン領域2 段テーパ構造の結合特性評価

摘要

Si プラットホーム上に大規模光集積回路を形成する技術としてrnIII-V/Si ハイブリッド集積が注目を集めており、我々は窒素プラズrnマを用いたIII-V/Si 直接接合法を利用してハイブリッド素子を実rn現してきた[1,2]。rn本研究では、Si 導波路幅を変えることにより利得特性を制御し、rnインライン増幅器、光源、波長変換器などを一括集積することをrn目指している。Si 導波路とIII-V/Si ハイブリッド構造間の高効率rn光結合が不可欠であり、前回、我々は2 段テーパ構造を提案し、rnその有効性を報告した [3]。今回、提案構造をi 線ステッパを用rnいて作製し結合効率の評価を行ったので、ご報告する。