用于III-V/硅混合集成的方法

摘要

提供了一种转移印刷的方法。所述方法包括：提供前驱体光子器件，所述前驱体光子器件包括基板和粘结区域，其中所述前驱体光子器件包括位于所述粘结区域中或邻近所述粘结区域的一个或多个对准标记；提供转移裸片，所述转移裸片包括一个或多个对准标记；将所述前驱体光子器件的所述一个或多个对准标记与所述转移裸片的所述一个或多个对准标记对准；以及将所述转移裸片的至少一部分粘结到所述粘结区域。

说明书

本申请要求2018年8月6日提交的US 62/715,123优先权，其内容和要素以引用的方式并入本文以用于所有目的。

本发明涉及一种前驱体光子器件、一种转移裸片、一种平台晶片、一种制备前驱体光子器件的方法、一种形成转移裸片的方法，以及一种转移印刷的方法。

微转移印刷(MTP)可用于制作混合III-V/Si集成光子部件和电路，例如，如LOI等人，Transfer Printing of AlGaInAs/InP Etched Facet Lasers to Si Substrates，IEEE Photonics Journal，第8卷第6期，2016年12月中所讨论，其全部内容以引用的方式并入本文。广泛地说，MTP涉及在第一基板上创建前驱体器件。然后例如经由弹性体印模从第一基板提起前驱体器件并沉积在第二基板上。

然而，常规的MTP技术存在三个主要问题：(i)III-V器件与Si平台之间的对准准确度低(±0.5至1.5μm)；(ii)III-V/Si粘结粘附力低，这导致可靠性低并且可能要求使用诸如焊料的额外材料来增加粘附强度；以及(iii)生产量低，因为很多混合集成方案都要求每次一个将单独III-V裸片或材料贴片粘结到Si平台。

那么将有利的是既增加III-V器件与Si平台之间的对准(以便减少系统中的光学损耗)又增加混合集成方案的生产量。

一般而言，本发明的实施方案提供III-V器件或前驱体器件以及Si平台，所述Si平台包括对准标记以有助于转移印刷的方法。

在第一方面，本发明的实施方案提供了一种转移印刷的方法，所述方法包括：

提供前驱体光子器件，所述前驱体光子器件包括基板和粘结区域，其中所述前驱体光子器件包括位于所述粘结区域中或邻近所述粘结区域的一个或多个对准标记；

提供转移裸片，所述转移裸片包括一个或多个对准标记；

将所述前驱体光子器件的所述一个或多个对准标记与所述转移裸片的所述一个或多个对准标记对准；以及

将所述转移裸片的至少一部分粘结到所述粘结区域。

根据第一方面的方法可有利地带来±200nm内的对准准确度。典型地，对准准确度受多个因素影响，包括在x和y方向上：对准标记设计和制造；显微镜放大；平移平台的分辨率；以及对准操作，以及在z方向上：制造粘结区域的准确度(例如，蚀刻腔的准确度如何)；制造转移裸片的准确度(例如，执行层的外延生长的准确度如何)；以及对准操作。

所述方法可具有以下任选特征中的任一者或在它们相容的程度上的任何组合。

所述前驱体光子器件可具有第二方面的前驱体光子器件的任选特征中的任一者或任何组合(只要它们相容)。

所述转移裸片可具有第三方面的转移裸片的任选特征中的任一者或任何组合(只要它们相容)。

所述方法可包括填充所述前驱体光子器件与所述转移裸片之间的刻面的步骤。用于填充所述刻面的填充材料可为氮化硅或非晶硅。

所述方法可包括以下一个或多个步骤：对所述前驱体光子器件和/或所述转移裸片进行等离子体处理；将所述前驱体光子器件浸入水中；对所述前驱体光子器件进行干燥；以及将所述转移裸片和前驱体光子器件退火。可在至少250℃且不超过350℃的温度下执行所述退火至少20分钟且不超过40分钟的时间。可在诸如氮气氛或氩气氛的惰性气体气氛中执行所述退火。

已经发现在转移印刷过程中使用的这些参数增加了粘结粘合并且因此增加了产量。

在第二方面，本发明的实施方案提供了一种使用第一方面的所述方法生产的光电子器件，所述光电子器件包括关于所述方法讨论的任选特征中的任一者或任何组合(只要它们相容)。

在第三方面，本发明的实施方案提供了一种光电子器件，所述光电子器件包括：

绝缘体上硅晶片，所述绝缘体上硅晶片具有腔；以及

III-V半导体基光子器件，所述III-V半导体基光子器件位于所述腔内并粘结到所述腔；

其中所述III-V半导体基光子器件包括一个或多个对准标记，所述一个或多个对准标记与所述腔中的对应的对准标记重叠。

有利地，这样的光电子器件在信号通过它传播时引起较少的损耗，因为提高了III-V半导体基光子器件与光电子器件的其他部件之间的对准的准确度。

第三方面的光电子器件可具有下面阐述的任选特征中的任一者或任何组合(只要它们相容)。

所述一个或多个对准标记可位于所述III-V半导体基光子器件的光学透明区域中。

所述一个或多个对准标记可为所述III-V半导体基光子器件中的完全延伸穿过所述III-V半导体基光子器件的孔洞。

所述光电子器件可包括输入和/或输出波导，所述波导设置在所述绝缘体上硅晶片中且光耦合到所述III-V半导体基光子器件。

在第四方面，本发明的实施方案提供了一种光电子器件，所述光电子器件包括：

根据第五方面的前驱体光子器件，所述前驱体光子器件粘结到根据第六方面的转移裸片。

所述前驱体光子器件可具有第五方面的前驱体光子器件的任选特征中的任一者或任何组合。所述前驱体光子器件可具有第五方面的前驱体光子器件的任选特征中的任一者或任何组合。

在第五方面，本发明的实施方案提供了一种前驱体光子器件，所述前驱体光子器件包括：

基板；

粘结区域，所述粘结区域用于接纳转移裸片并粘结到所述转移裸片；以及

一个或多个对准标记，所述一个或多个对准标记用于在转移印刷中使用，所述对准标记位于所述粘结区域中或邻近所述粘结区域。

这样的前驱体器件可带来在粘结到粘结区域后在一个或多个光学部件之间的对准增加的光子器件，这可在光穿过光子器件时降低不期望的损耗。

所述前驱体光子器件可具有以下任选特征中的任一者或在它们相容的程度上的任何组合。

所述粘结区域可为设置在所述基板中的腔。可在所述腔中蚀刻所述对准标记。可选地，可在所述前驱体器件的靠近所述腔但不在所述腔内的区域中蚀刻所述对准标记。这可允许在粘结之前所述对准标记与存在于所述前驱体器件中的任何光学部件自对准。

所述对准标记可位于所述粘结区域中，或者位于所述前驱体器件的靠近所述粘结区域但不在其内的区域中。在所述对准标记在所述前驱体器件的靠近所述粘结区域但不在其内的区域中的示例中，这可增加所述前驱体器件与随后转移的光子器件之间的粘合强度。

所述前驱体光子器件还可包括输入波导，其中所述对准标记被配置为相对于所述输入波导将位于所述转移裸片上的光子器件对准。

所述一个或多个对准标记可允许在至少两个不平行方向上的对准。

所述一个或多个对准标记可被提供为一个或多个蚀刻的区域和/或一个或多个图案化金属表面。所述蚀刻的区域可具有至少100nm且不超过3000nm的深度。

所述前驱体光子器件可包括一个或多个粗略对准标记和一个或多个精细对准标记。所述一个或多个粗略对准标记可在至少两个不平行方向上突出。所述一个或多个粗略对准标记可为以下任一项或多项：箭头、十字、T形和L形。可存在分别在至少两个不平行方向上突出的两个或更多个精细对准标记。所述一个或多个精细对准标记可包括游标图案。

所述前驱体光子器件可为绝缘体上硅晶片，其包括输入波导和输出波导中的任一者或两者，每个波导邻近所述粘结区域。

在第二第六方面，本发明的实施方案提供了一种转移裸片，所述转移裸片包括：

光子器件，所述光子器件具有适合于粘结到前驱体光子器件的粘结表面；

其中所述转移裸片包括用于在转移印刷过程中使用的一个或多个对准标记。

这样的转移裸片可带来在光子器件与前驱体光子器件的一个或多个部分之间的对准增加的光子器件，这可在光穿过它们时降低不期望的损耗。

所述转移裸片可具有以下任选特征中的任一者或在它们相容的程度上的任何组合。

所述光子器件可为III-V半导体器件，并且/或者所述转移裸片可包括牺牲层。

所述光子器件可为激光器、半导体光学放大器或电吸收调制器。所述光子器件可为电吸收调制器，并且所述电吸收调制器可包括输入波导和输出波导，并且所述输入波导和输出波导两者可包括位于所述转移裸片的同一侧上的端口。

所述光子器件可至少部分地由磷化铟形成，并且/或者牺牲层由砷化铟镓形成。

所述对准标记可设置在所述转移裸片的光学透明区域上。

所述转移裸片可在磷化铟基板上形成。

所述光子器件可包括一个或多个粗略对准标记和一个或多个精细对准标记。所述一个或多个粗略对准标记可在至少两个不平行方向上突出。所述一个或多个粗略对准标记可被成形为以下任一项或多项：箭头、十字、“T”形和“L”形。可存在分别在至少两个不平行方向上突出的两个或更多个精细对准标记。所述一个或多个精细对准标记可包括游标图案。

在第七方面，本发明的实施方案提供了一种适合在转移印刷过程中使用的平台晶片，所述平台晶片包括：

一个或多个对准芯片，所述对准芯片包括一个或多个对准标记；以及

一个或多个前驱体光子器件。

有利地，这样的平台晶片可允许在生产光子器件中的更大生产量。对准芯片可仅专用于对准标记的提供。

第七方面的前驱体光子器件可具有第五方面的前驱体光子器件的任选特征中的任一者或任何组合(只要它们相容)。

在第八方面，本发明的实施方案提供了一种适合在转移印刷过程中使用的转移晶片，所述晶片包括：

一个或多个对准芯片，所述对准芯片包括一个或多个对准标记；以及

一个或多个器件芯片。

有利地，这样的转移晶片可允许在生产光子器件中的更大生产量。对准芯片可仅专用于对准标记的提供。

所述转移晶片可具有第六方面的转移裸片的任选特征中的任一者或任何组合(只要它们相容)。

在第九方面，本发明的实施方案提供了一种制备前驱体光子器件的方法，所述方法包括以下步骤：

提供晶片，所述晶片包括基板和器件层；以及

向所述晶片中蚀刻一个或多个对准标记。

所述方法可具有以下任选特征中的任一者或在它们相容的程度上的任何组合。

所述方法还可包括：向所述晶片中蚀刻腔，所述腔从所述器件层的最上表面延伸到所述基板的至少最上表面；以及向所述基板中蚀刻所述一个或多个对准标记。

所述方法还可包括蚀刻输入波导和输出波导中的至少一者的步骤，所述输入波导和/或输出波导具有邻近所述腔的表面。可在蚀刻所述输入波导和/或输出波导的同时执行蚀刻一个或多个对准标记的所述步骤。有利地，同时执行蚀刻所述对准标记以及波导可确保在所述波导与对准标记之间没有对准误差。

蚀刻所述一个或多个对准标记以及所述输入波导和/或输出波导的所述步骤可包括以下步骤：

(a)在所述前驱体光子器件的上表面上方提供光致抗蚀剂；

(b)将所述光致抗蚀剂图案化以提供一个或多个暴露的区域；以及

(c)蚀刻所述暴露的区域。

所述方法还可包括沿着以下任一者或两者沉积优选地由氮化硅形成的抗反射涂层的步骤：一个或多个侧壁；和/或所述腔的床。所述方法还可包括至少移除邻近所述对准标记存在的所述抗反射涂层的步骤。

所述方法还可包括在蚀刻所述一个或多个对准标记的所述步骤之后，将顶部包覆层沉积在所述前驱体光子器件的暴露的上表面上的步骤。所述方法可包括去除所述顶部包覆层的在所述腔内的部分的步骤。

在第十方面，本发明的实施方案提供了一种形成转移裸片的方法，所述方法包括以下步骤：

提供多层结构，所述多层结构至少包括牺牲层和一个或多个光学活性层；以及

向所述多层结构的一部分中蚀刻一个或多个对准标记。

所述方法可具有以下任选特征中的任一者或在它们相容的程度上的任何组合。

蚀刻一个或多个对准标记的所述步骤可与向所述多层结构中蚀刻一个或多个器件结构的步骤同时地执行。有利地，通过同时地蚀刻所述对准标记和器件结构，可确保在所述器件结构与所述对准标记之间没有对准误差。所述方法可包括沉积应力补偿层的步骤。

向所述多层结构的一部分中蚀刻所述一个或多个对准标记可包括蚀刻所述转移裸片的区域，使得所述区域是光学透明的。

可完全穿过所述多层结构蚀刻所述对准标记。

本发明的其他方面提供：一种计算机程序，所述计算机程序包括代码，所述代码在计算机上运行时致使所述计算机执行第一、第九或第十方面的方法；一种计算机可读介质，所述计算机可读介质存储计算机程序，所述计算机程序包括代码，所述代码在计算机上运行时致使所述计算机执行第一、第九或第十方面的方法；以及一种计算机系统，所述计算机系统被编程为执行第一、第九或第十方面的方法。

附图简述

现在将参考附图通过示例的方式来描述本发明的实施方案，在附图中：

图1示出了在本发明的实施方案中使用的示例对准标记集合；

图2A和图2B示出了前驱体光子器件的相应视图，该前驱体光子器件包括具有对准标记的绝缘体上硅SOI波导；

图3(i)至图3(ix)(B)示出了用于生产包括对准标记的SOI波导的方法的各种制造步骤；

图4(A)至图4(D)示出了使用图3(i)至图3(ix)的方法制造的SOI波导的相应视图；

图5(i)至图5(x)示出了用于生产包括对准标记的SOI波导的变体方法的各种制造步骤；

图6A示出了用于包括III-V基器件的转移裸片的对准标记；

图6B示出了当定位在前驱体光子器件中的对应的对准标记上方时的图6A的对准标记；

图7(i)至图7(xii)示出了用于生产包括III-V基激光器的转移裸片的方法的各种制造步骤；

图8示出了根据图7(i)至图7(xii)的方法制造的包括III-V基激光器的转移裸片的自上而下视图；

图9(i)至图9(xiii)示出了用于生产包括III-V基激光器的转移裸片的变体方法的各种制造步骤；

图10示出了使用图9(i)至图9(xiii)的方法生产的包括激光器的转移裸片的自上而下视图；

图11(i)至图11(xiv)示出了用于生产包括III-V基电吸收调制器EAM的转移裸片的方法的各种制造步骤；

图12示出了使用图11(i)至图11(xiv)的方法生产的包括EAM的转移裸片的自上而下视图；

图13(i)至图13(xiv)示出了用于生产包括III-V基EAM的转移裸片的变体方法的各种制造步骤；

图14示出了使用图13(i)至图13(xiv)的方法生产的包括EAM的转移裸片的自上而下视图；

图15(A)和图15(B)示出了在微转移印刷之后的III-V/Si基激光器的相应视图；

图16(A)和图16(B)示出了在微转移印刷之后的III-V/Si基EAM的相应视图；

图17(A)和图17(B)示出了在微转移印刷之后的变体III-V/Si基激光器的相应视图；

图18(A)和图18(B)示出了在微转移印刷之后的变体III-V/Si基EAM的相应视图；

图19(A)和图19(B)示出了在微转移印刷之后的变体III-V/Si基激光器的相应视图；

图20(A)和图20(B)示出了在微转移印刷之后的变体III-V/Si基EAM的相应视图；

图21(A)和图21(B)示出了在微转移印刷之后的变体III-V/Si基激光器的相应视图；

图22(A)和图22(B)示出了在微转移印刷之后的变体III-V/Si基EAM的相应视图；

图23示出了对准标记的放置的变化；

图24示出了对准标记的放置的又一变化；

图25示出了对准标记的放置的又一变化；

图26示出了对准标记的放置的又一变化；

图27示出了对准记号裸片；

图28示出了包括III-V器件的转移晶片；并且

图29示出了包括前驱体光子器件的平台晶片。

具体实施方式和其他任选特征

现在将参考附图讨论本发明的方面和实施方案。其他方面和实施方案对本领域技术人员将是显而易见的。

图1示出了在本发明的实施方案中使用的示例对准标记集合。对准标记集合包括四个组成部分：存在于转移裸片101上的精细对准标记；存在于前驱体器件102上的精细对准标记；转移裸片103上的粗略对准标记；以及前驱体器件104上的粗略对准标记。

粗略对准标记采取+或十字形状的形式，其中前驱体器件104上的对准标记大于转移裸片103上的对准标记。因此，当转移裸片定位在前驱体器件上方时，可在转移裸片的粗略对准标记周围看到前驱体器件的粗略对准标记的轮廓。这种对准典型地精确到2μm内。粗略对准标记构成基本上任何形状，例如“T”形、“L”形或在至少两个不平行的方向上延伸的任何其他形状。优选地，粗略对准标记采取十字或+形状的形式。

精细对准标记采取一组游标尺的形式。前驱体器件和转移裸片中的每一者上的游标尺允许对准准确度达到数十至数百纳米内，如图所示。

图2A和图2B示出了前驱体光子器件200的相应视图。该器件包括具有对准标记的绝缘体上硅SOI波导。图2A是前驱体光子器件200的自上而下视图，其中‘x’是光穿过器件的引导方向，‘y’是离开平面的高度方向，并且‘z’是垂直于‘x’和‘y’的方向。该器件包括由绝缘体上硅晶片形成的输入波导201。输出波导204跨腔203与输入波导相对。应注意，在这个背景下的前缀输入和输出是为了清楚起见，并且因此，如下面讨论，波导201或204可充当输入或输出波导，反之亦然。波导的高度可为1μm或3μm(如从波导的底部包覆层测量到顶部包覆层)，并且模中心可与将要放置在腔中的光子器件的波导模对准，如下面更详细地讨论。腔203在输入波导201与输出波导204之间跨器件的宽度延伸，并且包含先前关于前驱体期间讨论的类型的四个对准标记205。可看到器件的上表面202，该上表面比腔203的床高(即，更靠近图的观看者)。

图2B示出了沿着切口A-A’的前驱体光子器件200的横截面图。应注意，该视图未按比例绘制，并且某些区域相对于图2A所示的尺寸已经压缩以便适应页面。在这里可看到器件的更多结构，例如，可看到上包覆层208和下包覆层209(由SOI晶片的掩埋氧化物/绝缘体层提供)。还有钝化层207。

明显地，邻近输入波导201和输出波导204的腔的腔203侧壁用抗反射涂层206作内衬。在此示例中，抗反射涂层由氮化硅并且具体是Si

图3(i)至图3(ix)示出了用于生产包括对准标记的SOI波导的方法的各种制造步骤，所述SOI波导是前驱体光子器件200的示例。在图3(i)所示的第一步骤中，提供SOI晶片，所述SOI晶片包括：器件或绝缘体上硅层301、掩埋氧化物层302和基板303。接下来，在图3(ii)所示的步骤中，将腔图案化层304沉积在器件层301的上表面上。该腔图案化层由SiO

在提供腔图案化层304之后，对腔203进行图案化并蚀刻，如图3(iii)所示。腔的深度可取决于波导201/204与待粘结到腔的床的器件中的光模之间的模中心对准。可选地，可调整待粘结的器件中的各种层的高度以使模中心在波导与器件之间对准。在蚀刻出腔203之后，在所有暴露的表面上提供抗反射涂层(ARC)层206。因此，腔203的侧壁和床两者都用ARC层作内衬，在一个示例中，所述ARC层由氮化硅(例如Si

接下来，在作为自上而下视图的图3(v)(A)所示的步骤中，提供光致抗蚀剂305以限定两个波导201/204以及对准标记307。如可在图3(v)(B)(即，沿着线A-A’的横截面)中看出，光致抗蚀剂仅驻留在先前提供的ARC层的一部分上，从而在光致抗蚀剂的任一侧上留下暴露的部分。光致抗蚀剂的宽度限定得到的波导的宽度。图3(v)(C)示出了沿着线B-B’截取的横截面，并且表明光致抗蚀剂沿腔的侧壁向下延伸并限定待蚀刻的对准标记307。这可为两步过程，其中放置光致抗蚀剂并且然后通过光刻法或类似的方法进行图案化。

在提供了光致抗蚀剂305并将其图案化之后，对器件的暴露的部分进行蚀刻以限定：波导201和204，以及对准标记205。该蚀刻步骤的结果在图3(iv)(A)、自上而下视图3(iv)(B)(即，沿着A-A’截取的横截面)以及图3(iv)(C)(即，沿着B-B’截取的横截面)中示出。这种蚀刻还限定剩余器件层的最上表面202。典型地，最上表面202是器件层的一部分并且因此由硅形成。然而，这可被二氧化硅或氮化硅覆盖。在腔203中，蚀刻延伸穿过位于腔的床上方的抗反射涂层层，并且部分地延伸到硅基板中。如先前已经讨论，当在例如介于150nm与2000nm之间的光学显微镜下观察时，进入腔中的深度应足以提供对比度。

接下来，在与先前讨论的沿着线A-A’和B-B’截取的横截面相对应的图3(vii)(A)和图3(vii)(B)所示的步骤中，在器件的所有暴露的表面上方提供钝化层207。在该示例中，钝化层由二氧化硅SiO

提供又一光致抗蚀剂305，如同样分别与沿着线A-A’和B-B’截取的横截面相对应的图3(viii)(A)和图3(viii)(B)所示。光致抗蚀剂掩蔽器件的所有部分，腔203的侧壁和腔的底部除外。附图示出了在将又一光致抗蚀剂350用作掩模执行蚀刻之后的器件。蚀刻去除了设置在腔内的钝化层207。

在去除了腔内的钝化层207之后，仍提供又一光致抗蚀剂305并且去除存在于腔203的床上的抗反射涂层。该光致抗蚀剂和蚀刻的结果在图3(ix)(A)和图3(ix)(B)(即，同样为沿着线A-A’和B-B’截取的横截面)中示出。然后去除光致抗蚀剂。

这是制造过程的最终步骤并且得到前驱体光子器件200，如图4(A)所示。在该图与先前描述的那些图共享特征的情况下，相似的特征由相似的附图标记指示。图4(A)和图4(D)分别是图2A和图2B的镜像。图4(B)和图4(C)分别是沿着线A-A’和B-B’截取的图4(A)的横截面。

图5(i)至图5(x)示出了用于生产包括对准标记的SOI波导的变体方法的各种制造步骤。如前所述，在图5(i)中，提供SOI晶片，所述SOI晶片由器件层301、掩埋氧化物层302和硅基板303形成。器件层为1.0μm高或3.0μm高(从掩埋氧化物层的最上表面测量到器件层的最上表面)。

接下来，在图5(ii)所示的步骤中，在波导的一部分上方提供上包覆层208和光致抗蚀剂501。光致抗蚀剂跨器件的长度延伸，即，进入/离开图5(ii)的平面。然后将光致抗蚀剂501用作掩模来执行蚀刻。蚀刻的结果在图5(iii)中示出，其中已经限定了波导201，其中上包覆由上包覆层208提供并且下包覆由掩埋氧化物层302提供。

在蚀刻之后，去除光致抗蚀剂501，并且另外在器件的所有暴露的表面上方提供上包覆材料208。这样做的结果在图5(iv)中示出。这可通过硅器件层的热氧化或通过二氧化硅的沉积(例如，掩蔽)来提供。

图5(v)示出了与图5(iv)相同的结构，但横截面图旋转了90°，如由坐标标记所指示。该横截面图是穿过在前一蚀刻步骤中形成的波导截取的，并且因此光从图的左手侧引导到右手侧(反之亦然)。

在提供了上包覆层之后，向器件中蚀刻先前提及的类型的腔203。这样做的结果在图5(vi)中示出。在已经蚀刻出腔203之后，以与先前讨论的几乎相同的方式沉积抗反射涂层206。包括抗反射涂层的结构在图5(vii)中示出。然后以先前讨论的方式在腔203的床中蚀刻对准标记205(然而，应注意，已经形成波导201/204)。在图5(ix)中，提供又一光致抗蚀剂501以用于去除存在于腔的床中的抗反射涂层。这样做是为了改善粘结凝聚。这样做的结果在图5(x)中示出，这也是制备前驱体光子器件的最后步骤。

图6A示出了用于III-V转移裸片的对准标记。在对准标记的外围之外的区域601是对准标记所在的III-V芯片或裸片。对准标记内的区域602是透明的。这可例如通过使该区域变薄直到光可透射穿过为止或完全移除该区域来实现。

图6B示出了当定位在前驱体光子器件中的对应的对准标记上方时的图6A的对准标记。前驱体光子器件中的对准标记205与III-V转移裸片中的对准标记结合使用来以所示的方式促进对准。

图7(i)至图7(xii)示出了用于生产包括III-V基激光器的转移裸片的方法的各种制造步骤。在图7(i)所示的第一步骤中，提供III-V半导体堆叠701。从最上层(即，离基板最远)先到最下层，所述堆叠包括：

702-P掺杂砷化铟镓(P-InGaAs)层；

703-P掺杂磷化铟(P-InP)层；

704-砷化铝铟镓(AlInGaAs)多量子阱层；

705-N掺杂磷化铟(N-InP)层；

706-砷化铟镓(InGaAs)牺牲层；以及

707-磷化铟基板。

所述堆叠可包括更多或更少数量的层。在特定示例中，所述堆叠包括以下层：

在提供堆叠701之后，设置掩模709(例如由SiO

重新施加掩模709以便覆盖新暴露的表面，并且然后提供又一光致抗蚀剂708，以便限定：波导以及一个或多个对准标记713。这在图7(iv)中示出。然后蚀刻波导714和对准标记715，如图7(v)所示。明显地，在该示例中，对准标记蚀刻并未始终延伸通过N-InP层。这有助于在III-V转移裸片粘结到前驱体光子器件时改善粘结质量。由于同时对波导714和对准标记715进行图案化和蚀刻，因此波导与III-V转移裸片上的对准标记之间不存在对准误差。

在图7(v)所示的蚀刻步骤之后，在器件的暴露的上表面上提供上包覆层716。然后例如通过湿法蚀刻来去除上包覆层与对准标记重叠的部分。这在图7(vi)中示出。

接下来，沉积又一二氧化硅(从而提供又一上包覆层)以及所需的任何应力补偿层(为清楚起见，未示出)。明显地，在该示例中，包覆层716没有朝向基板比N-InP进一步延伸。这样可改善粘结凝聚。在这之后，针对p和n触点打开过孔。这些操作的结果在图7(vii)中示出。在该示例中，针对p触点(波导714的上表面上的P-InGaAs层)打开过孔718。针对n触点打开单独的过孔717，所述过孔延伸到N-InP层中。当然，如果层相对于其掺杂物交换，则n和p触点也将交换。

在打开过孔之后，执行金属化过程以提供电极719和720，所述电极分别接触堆叠的p和n掺杂区域。这样做的结果在图7(viii)中示出。

接下来，将硬掩模沉积在上表面上，并且进行图案化以允许蚀刻器件的刻面。这在堆叠的末端处提供相对干净的界面或刻面，从而在粘结到前驱体光子器件时减少光学损耗。这些步骤的结果在图7(ix)中示出。

为了使器件准备好用于微转移印刷，去除留在芯片外部(左手边缘和右手边缘)的硬掩模(在此示例中，由SiO

图8示出了根据图7(i)至图7(xii)的方法制造的包括III-V基激光器的转移裸片的自上而下视图。明显地，当通过器件向下看时，先前形成的对准特征715是可见的。包围对准特征的区是透明的以允许与前驱体光子器件上的对应特征进行光学对准。图8还示出了A-A’线，所有的图7(i)至图7(xiii)都是沿着所述线的横截面。

图9(i)至图9(xiii)示出了用于生产包括III-V基激光器的转移裸片的变体方法的各种制造步骤。

如前所述，在图9(i)所示的步骤中提供III-V半导体基堆叠701。在最上表面上提供硬掩模708。随后，然后提供光致抗蚀剂708以限定芯片或裸片宽度(光致抗蚀剂708的左手侧和右手侧部分)并且限定波导。这在图9(ii)中示出。

在提供光致抗蚀剂和硬掩模之后，向下蚀刻未被光致抗蚀剂覆盖的堆叠的部分，直至至少P-InP层。在图9(iii)所示的示例中，执行蚀刻，使得只留下相对薄的P-InP层。在该蚀刻之后，对上包覆层716(由二氧化硅形成)进行沉积、图案化和蚀刻，以便提供n接触区711以及对准区710和712。在堆叠周围限定芯片边界区902。这样做的结果在图9(iv)中示出。

接下来，对又一上包覆层进行沉积、图案化和蚀刻，以便暴露对准区710和芯片边界902中的牺牲层。这里优选湿法蚀刻。这些步骤的结果在图9(v)中示出。蚀刻可向下延伸到牺牲层的上表面。在一些示例中，可保留N-InP层的薄部分。在执行蚀刻之后，在所有暴露的表面上提供又一上包覆716。上包覆层具有大约500nm的厚度。如果需要，在这个阶段还可提供应力补偿层。设置有上包覆层的器件在图9(vi)中示出。

如前所述，在提供了上包覆层之后，在其中打开用于电极的过孔717和718。提供第一过孔717，所述第一过孔暴露N-InP层的上表面，并且提供第二过孔718，所述第二过孔暴露P-InGaAs层的上表面。这在图9(vii)中示出。在提供过孔之后，执行金属化过程，所述金属化过程提供电极719和720，如先前所讨论。

在形成电极之后，将对准标记904沉积在先前形成的对准区域内。在该示例中，代替通过蚀刻N-InP层来形成对准标记，通过沉积诸如氮化钛的金属然后进行干法蚀刻以提供对准标记(例如，粗略对准标记和精细对准标记)的特征来形成所述对准标记。这样做的结果在图9(ix)中示出。

接下来，对硬掩模进行沉积、图案化，并且蚀刻刻面。然后用二氧化硅涂覆刻面，先前形成的对准标记904也是这样。这些步骤的结果在图9(x)中示出。在这之后，去除位于芯片边界外部(即，在III-V转移裸片的外围周围)的二氧化硅以暴露InGaAs牺牲层706的上表面。如前所述，然后在III-V转移裸片的暴露的表面上提供提升或印刷光致抗蚀剂906。图9(xii)示出了施加有光致抗蚀剂的转移裸片。

在最后步骤中，蚀刻掉牺牲InGaAs层，从而使III-V转移裸片被系绳722悬挂并且准备用于微转移印刷。

图10示出了使用图9(i)至图9(xiii)的方法生产的包括激光器的转移裸片的自上而下视图。值得注意的是III-V转移裸片的四个拐角中的对准标记904。图10还示出了A-A’线，所有的图9(i)至图9(xiii)都是沿着所述线的横截面。

图11(i)至图11(xiv)示出了用于生产包括III-V基电吸收调制器EAM的转移裸片的方法的各种制造步骤。在图11(i)所示的第一步骤中，提供III-V半导体堆叠701，如前所述。接下来，提供光致抗蚀剂1101并且蚀刻暴露的区域以提供对准区1102和1103，如图11(ii)所示。

图11(iii)示出了接下来的步骤的结果，其中提供硬掩模、进行图案化和蚀刻以限定波导714以及芯片边界区1104，并且在对准区1102和1103内提供沟槽。同样，由于同时对波导和对准特征进行图案化和蚀刻，因此它们之间不存在对准误差。

接下来，提供可由硅石或二氧化硅形成的上包覆层716，并且然后在对准区1102、1103中向下穿过N-InP层进行图案化和蚀刻，如图11(iv)所示。这经由湿法蚀刻来执行。蚀刻可延伸直到InGaAs牺牲层的上表面，但优选地保留几纳米的N-InP层以增强粘结粘附。

图11(v)示出了在已经提供又一二氧化硅之后的器件，并且形成p触点719以接触波导714的顶部。同样，如果需要，此时可提供应力补偿层。在提供p触点719之后，还提供电连接至邻近波导714的N-InP层的n触点720，如图11(vi)所示。

然后在邻近波导714的器件的一部分中蚀刻隔离区1105。这通过将InGaAs牺牲层用作湿法蚀刻停止层对InP层进行干法蚀刻且然后进行湿法蚀刻来执行。这在图11(vii)中示出。

然后在所有暴露的表面上沉积氮化硅1106，并且沉积苯并环丁烯(BCB)填充物1107，如图11(viii)所示。然后蚀刻BCB填充物，使得暴露氮化硅1106层的上部部分。接下来，如图11(ix)所示，对上表面(在p电极719旁边)进行平坦化。打开过孔1108以允许电连接到n电极720。

接下来，在图11(x)所示的步骤中，在器件的上表面上提供p电极迹线1109。同时，蚀刻对准标记1115。在这之后，提供n电极迹线1110，所述n电极迹线接触n电极720并且延伸穿过过孔1108。

然后对硬掩模1111进行沉积、图案化，并且蚀刻刻面。暴露迹线1109和1110。还蚀刻芯片边界，如图11(xii)所示。在这之后，在III-V转移裸片的暴露的表面上提供提升或印刷光致抗蚀剂1112，如图11(xiii)所示。最后，蚀刻掉牺牲层，使得转移裸片被系绳722所悬挂，如图11(xiv)所示。转移裸片然后准备用于微转移印刷。

图12示出了使用图11(i)至图11(xiv)的方法生产的包括EAM的转移裸片的自上而下视图。所有的图11(i)至图11(xiv)都是沿着切口A-A’的横截面。如前所述，应注意，视图未按比例绘制，并且某些区域相对于图12所示的尺寸已经压缩以便适应页面。

图13(i)至图13(xiv)示出了用于生产包括III-V基EAM的转移裸片的变体方法的各种制造步骤。在如图13(i)所示的第一步骤中，提供III-V半导体堆叠701。然后施加光致抗蚀剂1301，以限定波导714以及对准区1102和1103以及p接触区1113和n接触区711。光致抗蚀剂1301的边缘限定芯片边界。

然后蚀刻器件，如图13(iii)所示，从而提供波导714以及对准区1102和1103。接下来，提供上包覆层(例如，由二氧化硅形成)以及可能需要的任何应力补偿层。P触点719也设置为与堆叠的P-InGaAs层接触。这在图13(iv)中示出。接下来，提供N触点720，所述N触点电连接到堆叠的N-InP层，如图13(v)所示。

在已经提供了电触点之后，蚀刻隔离区1105。同时，向下蚀刻对准区，直到InGaAs牺牲层，如图13(vi)所示。如前所述，将InGaAs层用作湿法蚀刻停止层通过干法蚀刻和湿法蚀刻的组合来执行该蚀刻，以去除InP。

与先前的方法一样，然后沉积氮化硅层1106、接着是BCB填充物。这在图13(vii)中示出。同样，对器件(其中p触点719除外)进行平坦化并且穿过BCB填充物打开用于电极连接的过孔1108。这些步骤的结果在图13(viii)中示出。

然后制作用于p触点719的电迹线1109，如图13(ix)所示，并且制作用于n触点的电迹线1110，如图13(x)所示。然后在这种情况下通过相对薄的金属层(例如，TiN)的沉积来制作对准标记1302，所述金属层进行图案化和蚀刻以产生上面讨论的精细特征和粗略特征。这在图13(xi)中示出。在任选步骤中，可在BCB填充物中首先蚀刻沟槽1303，以便对准标记设置在其中。可选地，可向BCB填充物本身中蚀刻对准标记。图13(xi’)示出了其中蚀刻沟槽1303的任选变体。

在已经制作出对准标记之后，在III-V转移裸片上沉积硬掩模1111(但电极迹线1109和1110被暴露)。随后，对硬掩模进行图案化并且蚀刻刻面，对刻面进行涂覆并且蚀刻芯片边界。这在图13(xii)中示出。

如前所述，然后在III-V转移裸片的上暴露的表面上提供转移光致抗蚀剂1112，如图13(xiii)所示。然后可蚀刻掉牺牲InGaAs层，从而使III-V转移裸片从系绳722悬挂，如图13(xiv)所示。

图14示出了使用图13(i)至图13(xiv)的方法生产的包括EAM的转移裸片的自上而下视图。所有的图13(i)至图13(xiv)都是沿着切口A-A’的横截面。如前所述，应注意，视图未按比例绘制，并且某些区域相对于图14所示的尺寸已经压缩以便适应页面。

在已经生产出前驱体光子器件(例如，图2A所示)并且已经完成包含光子器件(优选地包括III-V半导体基光学活性区域)的转移裸片之后，可将这两者集成。在一个示例中，集成过程包括以下步骤：

对于前驱体光子器件，例如，SOI波导平台：

-对SOI波导晶片进行等离子体处理大约30秒；

-将SOI波导浸入净化或去离子的水中；以及

-对SOI波导晶片进行旋转干燥(或者在没有干燥气体的情况下进行旋转冲洗干燥)。

对于III-V转移裸片/芯片/晶片：

-对III-V裸片进行等离子体处理大约30秒。

在已经预处理器件和转移裸片之后，使用微转移印刷技术来使III-V转移裸片在前驱体光子器件的腔中对准。这个对准利用转移裸片和前驱体光子器件中的每一者上的对准标记，以增强对准准确度。

在器件已经对准并且III-V转移裸片‘印刷’在前驱体光子器件上之后，使用退火过程来促进两者之间的粘结。优选地，退火过程包括在300℃下使组装的III-V/Si晶片在N

图15(A)和图15(B)示出了在微转移印刷和粘结过程之后的III-V/Si基激光器的相应视图。III-V基激光器是根据图7(i)至图7(xii)制造的并且在图8中示出。如可看出，转移裸片的对准特征715和前驱体器件的对准特征205重叠，使得它们可用于一个部件相对于另一个部件的精确对准。在该示例中，由于III-V器件是激光器，不意图使用波导204并且因此在III-V器件与输出波导之间可留下相当大的间隙。实际上，在该示例中，前驱体光子器件可仅具有一个波导，即，充当用于激光器的输出波导的波导201。图15(B)是沿着图15(A)的A-A’线截取的横截面图。如前所述，应注意，视图未按比例绘制，并且某些区域相对于图15(A)所示的尺寸已经压缩以便适应页面。

图16(A)和图16(B)示出了在微转移印刷之后的III-V/Si基EAM的相应视图。III-V基EAM是根据图11(i)至图11(xiv)制造的并且在图12中示出。如可看出，转移裸片的对准特征1115和前驱体器件的对准特征205重叠，使得它们可用于一个部件相对于另一个部件的精确对准。在该示例中，由于III-V器件是EAM，两个波导201和204都意图使用并且因此在III-V器件与波导之间的间隙应保持相对小。

图16(B)是沿着图16(A)的A-A’线截取的横截面图。如前所述，应注意，视图未按比例绘制，并且某些区域相对于图16(A)所示的尺寸已经压缩以便适应页面。

图17(A)和图17(B)示出了在微转移印刷之后的变体III-V/Si基激光器的相应视图。如可看出，转移裸片的对准特征715和前驱体器件的对准特征205重叠，使得它们可用于一个部件相对于另一个部件的精确对准。在该示例中，由于III-V器件是激光器，不意图使用波导204并且因此在III-V器件与输出波导之间可留下相当大的间隙。实际上，在该示例中，前驱体光子器件可仅具有一个波导，即，充当用于激光器的输出波导的波导201。图17(A)和图17(B)中的器件与图15(A)和图15(B)中的器件的区别在于，波导201与III-V器件之间的间隙被桥波导1701(在该示例中，由Si

图17(B)是沿着图17(A)的A-A’线截取的横截面图。如前所述，应注意，视图未按比例绘制，并且某些区域相对于图17(A)所示的尺寸已经压缩以便适应页面。

图18(A)和图18(B)示出了在微转移印刷之后的变体III-V/Si基EAM的相应视图。如可看出，转移裸片的对准特征1115和前驱体器件的对准特征205重叠，使得它们可用于一个部件相对于另一个部件的精确对准。图18(A)和图18(B)中的器件与图16(A)和图16(B)中的器件的区别在于，波导201和204与III-V器件之间的间隙均被桥波导1701(在该示例中，由Si

图18(B)是沿着图18(A)的A-A’线截取的横截面图。如前所述，应注意，视图未按比例绘制，并且某些区域相对于图18(A)所示的尺寸已经压缩以便适应页面。

图19(A)和图19(B)示出了在微转移印刷之后的变体III-V/Si基激光器的相应视图。III-V基激光器是根据图9(i)至图9(xiii)制造的并且在图10中示出。如可看出，转移裸片的对准特征904和前驱体器件的对准特征205重叠，使得它们可用于一个部件相对于另一个部件的精确对准。在该示例中，由于III-V器件是激光器，不意图使用波导204并且因此在III-V器件与输出波导之间可留下相当大的间隙。实际上，在该示例中，前驱体光子器件可仅具有一个波导，即，充当用于激光器的输出波导的波导201。

图19(B)是沿着图19(A)的A-A’线截取的横截面图。如前所述，应注意，视图未按比例绘制，并且某些区域相对于图19(A)所示的尺寸已经压缩以便适应页面。

图20(A)和图20(B)示出了在微转移印刷之后的变体III-V/Si基EAM的相应视图。III-V基EAM是根据图13(i)至图13(xiv)制造的并且在图14中示出。如可看出，转移裸片的对准特征1302和前驱体器件的对准特征205重叠，使得它们可用于一个部件相对于另一个部件的精确对准。在该示例中，由于III-V器件是EAM，两个波导201和204都意图使用并且因此在III-V器件与波导之间的间隙应保持相对小。

图20(B)是沿着图20(A)的A-A’线截取的横截面图。如前所述，应注意，视图未按比例绘制，并且某些区域相对于图20(A)所示的尺寸已经压缩以便适应页面。

图21(A)和图21(B)示出了在微转移印刷之后的变体III-V/Si基激光器的相应视图。如可看出，转移裸片的对准特征904和前驱体器件的对准特征205重叠，使得它们可用于一个部件相对于另一个部件的精确对准。在该示例中，由于III-V器件是激光器，不意图使用波导204并且因此在III-V器件与输出波导之间可留下相当大的间隙。实际上，在该示例中，前驱体光子器件可仅具有一个波导，即，充当用于激光器的输出波导的波导201。图21(A)和图21(B)中的器件与图19(A)和图19(B)中的器件的区别在于，波导201与III-V器件之间的间隙被桥波导1701(在该示例中，由Si

图21(B)是沿着图21(A)的A-A’线截取的横截面图。如前所述，应注意，视图未按比例绘制，并且某些区域相对于图21(A)所示的尺寸已经压缩以便适应页面。

图22(A)和图22(B)示出了在微转移印刷之后的变体III-V/Si基EAM的相应视图。III-V基EAM是根据图13(i)至图13(xiv)制造的并且在图14中示出。如可看出，转移裸片的对准特征1302和前驱体器件的对准特征205重叠，使得它们可用于一个部件相对于另一个部件的精确对准。在该示例中，由于III-V器件是EAM，两个波导201和204都意图使用并且因此在III-V器件与波导之间的间隙应保持相对小。图22(A)和图22(B)中的器件与图20(A)和图20(B)中的器件的区别在于，波导201和204与III-V器件之间的间隙被桥波导(在该示例中，由Si

图22(B)是沿着图22(A)的A-A’线截取的横截面图。如前所述，应注意，视图未按比例绘制，并且某些区域相对于图22(A)所示的尺寸已经压缩以便适应页面。

图23示出了对准标记的放置的变化。在所示的示例中，前驱体光子器件中的对准标记(由精细对准标记2301和粗略对准标记2302形成)在腔103内但在III-V转移裸片的周边外部，即，在将形成粘结区的腔的区外部。有利地，这意味着不在粘结区中蚀刻对准标记，从而可改善III-V转移裸片与腔之间的粘结粘合。

此外，III-V转移裸片上的对准标记将不需要是透明的，因为它们仅邻接前驱体光子器件的对准标记。作为又一优点，前驱体器件中的对准标记可具有非常相似或相等的高度，这使得成像更简单。精细对准标记2301可放置在III-V转移裸片的两侧、三侧或四侧上和SI腔中的对应定位。

图24示出了对准标记的放置的又一变化。在所示的示例中，前驱体光子器件中的对准标记(由精细对准标记2301和粗略对准标记2302形成)在邻近腔的器件的顶部硅层202内，而不是在腔本身中。这允许对准标记容易与波导自对准，因为它们可与波导在同一步骤中蚀刻。同样，前驱体光子器件中的对准标记可与III-V转移裸片中的那些对准标记具有非常相似或相等的高度，这促进成像。图像中指示的箭头展示了边缘对准间隙，这是该示例中的一个因素。

图25示出了对准标记的放置的又一变化。所示的示例是图23和图24中的示例的组合，因为对准标记存在于前驱体光子器件的顶部硅层202和腔103两者中。这组合了关于图23和图24讨论的优点，从而允许腔的两个边缘远离III-V转移裸片，而同时允许使用腔的边缘上的标记或腔的底部上的标记中的任一者或两者进行对准。

图26示出了对准标记的放置的又一变化。此处，III-V转移裸片不是矩形的，并且因此对准标记可放置在腔103内的附加侧上。尽管位置处，但也可使用EAM的U形弯曲版本，在这种情况下，波导在III-V转移裸片的同一侧上进入和离开芯片，并且III-V转移裸片的仅一个边缘将需要紧密接近(即，处于有效的光耦合距离)前驱体光子器件中的腔边缘。

图27示出了对准记号裸片或芯片2700。对准记号裸片不包括III-V基器件，而是仅包括对准特征和某一形式的基板，所述对准特征位于所述基板中或上。在基于晶片的操作(下面讨论)的背景下，这些对准裸片可用于代替包含光子器件的III-V转移裸片中的一些，使得III-V转移裸片都不包括对准特征。这允许纯粹地优化记号裸片的形状和大小以及对准标记的设计和位置，以便最大化对准而不必还在裸片上提供工作光子器件。例如，精细游标图案可以做得更大，从而允许改善的对准准确度和精确度。

图28示出了包括多个如图27所示的对准记号裸片2700的III-V转移晶片2800。在该示例中，对准记号裸片2700位于晶片的四个拐角和中心部分中。剩余空间被包括光子器件的III-V转移裸片2802填充。这些III-V转移裸片可能没有对准特征本身，因为可通过使用对准记号裸片2700来实现III-V转移晶片与平台晶片的对准。然而，III-V转移裸片2802也可具有对准标记。例如，对准记号裸片2700可仅具有粗略对准标记。在一个示例中，对准记号裸片2700中的对准标记可足够用于‘目视’(即，未放大)对准，并且存在于III-V转移裸片2802中的对准标记可用于精细对准(要求一定程度的放大)。

图29示出了包括多个如图27所示的对准记号裸片2700的平台晶片2900。在该示例中，对准记号裸片2700位于晶片的四个拐角和中心部分中。剩余空间被诸如图2A所示的那些前驱体光子器件2902填充。这些前驱体光子器件可能没有对准特征本身，因为可通过使用对准记号裸片2700来实现平台晶片与III-V转移晶片的对准。然而，前驱体光子器件2902也可具有对准标记。例如，对准记号裸片2700可仅具有粗略对准标记。在一个示例中，对准记号裸片2700中的对准标记可足够用于‘目视’(即，未放大)对准，并且存在于前驱体光子器件2902中的对准标记可用于精细对准(要求一定程度的放大)。

在使用中，诸如先前讨论的印模可用于将III-V转移裸片2802以及对准记号裸片2700从III-V转移晶片提离。然后印模与平台晶片2900上的对准记号裸片2700对准，使得III-V转移裸片中的光子器件可印刷在平台晶片2900上。

尽管已经结合上述示例性实施方案描述了本发明，但在给出本公开时，许多等效修改和变化对于本领域技术人员将是显而易见的。因此，上文阐明的本发明的示例性实施方案应被视作说明性的，而不是限制性的。在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可对所描述的实施方案进行各种变化。

101 转移裸片上的精细对准标记

102 前驱体器件上的精细对准标

记

103 转移裸片上的粗略对准标记

104 前驱体器件上的粗略对准标

记

200 前驱体光子器件

201 输入脊形或肋形波导

202 器件的上表面

203 腔

204 输出脊形或肋形波导

205 对准标记

206 抗反射涂层

207 钝化层

208、716 上包覆层

209 下包覆层

210 基板

301 器件层

302 掩埋氧化物层

303 基板

304 腔图案化层

305、501、708、908、1101、1301 光致抗蚀剂

306 器件层的上表面

307 光致抗蚀剂中的对准标记

601 在III-V器件外部的区域

602 透明区域

604 Si对准标记

701 III-V半导体堆叠

702 P掺杂InGaAs层

703 P掺杂InP层

704 AlInGaAs多量子阱区域

705 N掺杂InP层

706 InGaAs牺牲层

707 InP基板

709 掩模

710、712、1102、1103 对准区

711 N接触区

713 光致抗蚀剂中的对准标记

714 波导

715、1115 对准标记

717、718 用于电极连接的过孔

719、720 电极

721、906、1112 提升光致抗蚀剂

722 系绳

902、1104 芯片边界区

904 对准标记

1105 隔离区

1106 氮化硅层

1107 BCB(苯并环丁烯)填充物

1108 用于电极连接的过孔

1109、1110 用于电极的迹线

1111 硬掩模

1113 P接触区

1302 对准标记

1303 对准标记沟槽

1701 刻面填充

2301 精细对准标记

2302 粗略对准标记

2700 对准记号裸片

2800 III-V转移晶片

2802 器件裸片

2900 平台晶片