光電変換膜積層型8K撮像デバイス用3Tr.型画素回路の喑電流評価

机译：光电转换层堆叠8K成像器件的3Tr型像素电路所需电流的评估

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光電変換膜積層型8K撮像デバイス用の3トランジスタ型画素回路について，FD喑電流を評価した.セルpゥエルとFLDについて，レイヤのなしとありを比較して効果を調べた結果，セルpゥエルとFLDは共にFD喑電流の低減効果が確認され，セルpゥエルとFLDありの画素TEGでFD喑電流510電子/秒/画素，喑電流ショット雑音換算で2.9電子/フレーム/画素が得られた.

机译：对于光电转换膜堆叠型8K图像拾取装置的三晶体管像素电路，评估了FD漏极电流，通过比较有层和无层的结果比较了单元阱和FLD的结果，结果表示为单元阱。两种FLD均具有减小FD截止电流的效果，并且具有散装电流和FLD的像素TEG提供的FD截止电流为510电子/秒/像素，并且以散粒电流散粒噪声为2.9电子/帧/像素。

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来源
《映像情報メディア学会2018年年次大会講演予稿集》|2018年|1-2|共2页
会议地点 1880-6961
作者
新井俊希; 大竹浩;
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作者单位

NHK放送技術研究所;

NHK放送技術研究所;

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