Department of Engineering, University of Cambridge, United Kingdom;
机译:具有单片过流,过压和过热检测和保护电路的新型垂直IGBT结构
机译:保护功率电容器免受过电压/过电流影响的简化方法
机译:在硬开关和软开关下外延平面和沟槽栅极IGBT以及非外延平面栅极IGBT的关断行为
机译:700V智能沟槽IGBT,具有单片过电压和过流保护功能
机译:沟槽栅穿通IGBT的特性和建模。
机译:智能和气候智能农业趋势作为智能村功能的核心方面
机译:沟槽屏蔽平面栅极IGBT(TSPG-IGBT),具有自偏置PMOS,实现低导通状态电压和低饱和电流