Dept. of Mechanical, Materials Aerospace Engineering, University of Central Florida, 4000,Central Florida Blvd., Orlando, FL USA 32816;
IBM India Private Limited, No. 12, Subramanya Arcade, Bannerghatta Road, Bangalore - 29;
Dept. of Electrical and Computer Engineering,University of Wyoming, 1000 E. University Ave., Laramie, WY USA 82071-3295;
Semiconductor laser; Quantum dots; Injection efficiency; Inhomogeneous broadening;
机译:模拟1.3μm自组装InAs / GaAs量子点激光器的室温激光光谱:电流注入下光增益的均匀展宽
机译:1.3μmInAs-InGaAs量子点激光器中的载流子分布,增益和激射
机译:1.3μmInAs-InGaAs量子点激光器中的载流子分布,增益和发射
机译:速率等式建模在1.3-μmina-Ingaas量子点激光器中的电流注入效率
机译:大功率高效电子空穴和单极量子点激光器
机译:消除用于制备1.3μm量子点激光器的InAs / GaAs量子点中的双峰尺寸
机译:用于在si衬底上单片生长的1.3μmInas/ Gaas量子点激光器的缺陷滤光层的优化
机译:基于延迟微分方程的被动锁模量子点激光器的建模,使用测量的增益和损耗光谱(后印刷)。